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            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)

            作者: 時間:2024-09-05 來源: 收藏

            本文要點(diǎn):

            ? 小信號 的用途。
            ? 用于小信號 的分壓器晶體管偏置電路。
            ? 單級小信號 的設(shè)計(jì)步驟。

            幾乎所有的電子電路都依賴于放大器,放大器電路會放大它們接收到的輸入信號?;镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成,晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時,施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現(xiàn)波動。波動的輸出電流流過輸出電阻,產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。

            有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且(與靜態(tài)工作點(diǎn)相比)輸出電流波動較小,它們稱為小信號 RF 放大器。小信號 RF 放大器的設(shè)計(jì)可以采用共基極、共發(fā)射極或共集電極配置。本文將重點(diǎn)介紹共基極小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)。 

            單級小信號 RF 放大器

            小信號 RF 放大器可以是單級放大器,也可以是多級放大器。在單級小信號 RF 放大器中,使用晶體管來放大輸入信號。向偏置設(shè)置在有源區(qū)的晶體管提供輸入信號。根據(jù)輸入信號的變化,輸出電流也隨之變化,從而得到放大后的輸出電壓。小信號 RF 放大器也可稱為電壓放大器。

            設(shè)計(jì)小信號 RF 放大器所需的輸入包括輸出電流、輸出電壓、直流偏置電壓和晶體管電流增益。電流增益是晶體管的內(nèi)部特性,可從產(chǎn)品手冊中獲取。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202409/462681.htm


            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)


            接下來,我們來了解一下小信號 RF 放大器的晶體管偏置。

            小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置

            小信號 RF 放大器的設(shè)計(jì)從晶體管偏置電路開始。讓我們以一個具有高電平值 NPN 晶體管的共基、小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)為例。集電極電流和集電極輸出電阻上的電壓分別構(gòu)成輸出電流和輸出電壓。用 VCC 來表示輸入偏置電壓。請注意,在本例中,我們使用分壓器晶體管偏置電路進(jìn)行進(jìn)一步討論,因?yàn)樗欠糯笃髦凶畛S玫木w管偏置電路,而且電路結(jié)構(gòu)簡單,工作點(diǎn)穩(wěn)定性較好。

            當(dāng)晶體管采用共基配置時,晶體管基極和集電極端的電阻 R2 和 RC 將晶體管連接到直流輸入電壓 VCC。電阻 R1 和 RE 分別將晶體管的基極和發(fā)射極接地。通過選擇合適的電阻值,可以固定晶體管放大器的工作點(diǎn)。分壓器晶體管偏壓使晶體管的工作點(diǎn)幾乎不受放大倍數(shù)(β 值)影響。因此,分壓器偏置電路也稱為與 β 值無關(guān)的偏置電路。

            要設(shè)計(jì)這種晶體管,應(yīng)遵循幾個關(guān)鍵步驟。 

            單級小信號 RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟

            設(shè)計(jì)帶分壓器晶體管偏置的小信號 RF 放大器時應(yīng)遵循以下步驟:

            針對給定的設(shè)計(jì)參數(shù),即輸出電流 (IC)、輸出電壓 (VC)、直流偏置電壓 (VCC) 和晶體管電流增益,選擇晶體管的工作點(diǎn)。

            考慮到偏置穩(wěn)定性,發(fā)射極電阻 RE 上的電壓固定為 VE。

            對于高 β 值晶體管,集電極 (IC) 和發(fā)射極 (IE) 電流大致相等。根據(jù) IE 和 VE,設(shè)計(jì)電阻 RE 時使用的公式為

            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)
            電阻 RC 的計(jì)算公式為

            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)
            根據(jù) IC 和 β,基極電流為

            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)
            對于硅晶體管,基極和發(fā)射極上的壓降 VBE 等于 0.7 V?;鶚O電壓 VBB 的計(jì)算公式為

            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)
            從直流輸入電壓到晶體管基極的電流為 IBB。假設(shè) IBB 值,則電阻為

            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)
            根據(jù)公式 R1,可設(shè)計(jì)電阻 R2

            耦合電容器 Cin 和 CC 設(shè)計(jì)為阻斷直流電流,只允許交流電流通過。

            旁路電容器 CE 按照公式設(shè)計(jì)

            按照上述步驟,就可以設(shè)計(jì)出一個小信號射頻放大器。在小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)中,穩(wěn)定晶體管的工作點(diǎn)是一個重要問題。晶體管的內(nèi)部特性會隨溫度變化而變化,這會影響放大器的工作點(diǎn)和功能。

            Cadence Celsius Thermal Solver 是業(yè)界首個面向電子工程師的熱分析技術(shù)。它為單片微波集成電路(MMIC)、集成電路封裝、射頻 PCB、模塊和微波/射頻系統(tǒng)提供了完整的電熱協(xié)同仿真技術(shù)。Celsius Thermal Solver 集成在 Cadence AWR Design Environment 平臺中,為元件密集的大型射頻/微波系統(tǒng)和高功率放大器(HPA)的設(shè)計(jì)驗(yàn)證和簽核提供隨時可用的高容量電熱分析(圖 1)。


            單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)

            圖 1:使用 Celsiu Thermal Solver 對射頻功率器件和合路器匯流排進(jìn)行分析


            利用有限元分析(FEA)場求解器與先進(jìn)的自適應(yīng)網(wǎng)格劃分技術(shù)相結(jié)合,Celsius Thermal Solver可以分析復(fù)雜固體結(jié)構(gòu)中的穩(wěn)態(tài)熱傳導(dǎo),包括帶過孔和氣橋的氮化鎵/砷化鎵(GaN/GaAs)場效應(yīng)晶體管(FET)和高電子遷移率晶體管(HEMT)器件,以及帶有凸點(diǎn)或鍵合線的復(fù)雜封裝。強(qiáng)大的 3D 熱分布分析與自動化環(huán)境中的 3D 電氣仿真相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)真正的電熱協(xié)同仿真,對溫度和電流之間的重要相互作用進(jìn)行迭代。



            關(guān)鍵詞: RF 放大器

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