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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

            Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

            —— 滿足行業(yè)對采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求
            作者: 時(shí)間:2024-09-02 來源:EEPW 收藏

            近日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展,推出采用封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V,支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍,進(jìn)一步鞏固了作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布,通過DFN封裝提供了其大部分的,可滿足設(shè)計(jì)人員對節(jié)省空間和能源的封裝的需求,以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202409/462565.htm

            與有引腳的器件相比,封裝器件可顯著節(jié)省電路板空間。例如,與SOT89相比,它將電路板空間減少了80%,與SOT223相比,它將電路板空間減少了90%。封裝還具有側(cè)邊可濕焊盤,可對焊點(diǎn)進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI),從而確保提高穩(wěn)健性和可靠性。

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            除了通用晶體管外,Nexperia還發(fā)布了一系列低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。這些器件結(jié)合了超低飽和電壓和高電流增益,有助于提高許多電源應(yīng)用的能效。低VCEsat晶體管性能卓越,可以取代采用更大封裝的標(biāo)準(zhǔn)晶體管,從而可以在更小的PCB上實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。

            Nexperia為使用雙極結(jié)型晶體管的工程師提供BJT應(yīng)用手冊,這是一本由工程師編寫、供工程師閱讀的實(shí)用、全面且最新的參考資料。這讓設(shè)計(jì)工程師能夠更好地了解雙極晶體管、其基本原理、熱性能考量和應(yīng)用見解。



            關(guān)鍵詞: Nexperia DFN2020D-3 功率BJT

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