SK海力士在加利福尼亞州圣克拉拉會(huì)議中心舉辦的今年未來(lái)存儲(chǔ)峰會(huì)（FMS，前稱閃存峰會(huì)）上，展示了其最新的存儲(chǔ)技術(shù)和AI硬件解決方案。此次展會(huì)上，該公司展示了其即將推出的產(chǎn)品，包括12層HBM3E內(nèi)存模塊和預(yù)計(jì)在2025年上半年出貨的321層1Tb TLC NAND。

SK海力士充分利用這一活動(dòng)平臺(tái)，從主題演講開始，重點(diǎn)介紹了其在AI內(nèi)存解決方案方面的進(jìn)展，例如為設(shè)備端AI計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的PCB01 SSD產(chǎn)品線。該SSD提供高達(dá)每秒14 GB的讀取和寫入速度，支持運(yùn)行大型語(yǔ)言模型（LLM）用于AI訓(xùn)練和推理。

SK海力士HBM工藝整合負(fù)責(zé)人權(quán)汝河（Unoh Kwon）和SSD PMO負(fù)責(zé)人金春成（Chunsung Kim）在主題演講中討論了“AI內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)力與AI時(shí)代愿景”。兩位高管介紹了公司的DRAM和NAND產(chǎn)品組合，以及優(yōu)化AI應(yīng)用的內(nèi)存解決方案。

隨著對(duì)AI解決方案需求的增加，SK海力士最近獲得了美國(guó)商務(wù)部的初步條款備忘錄，預(yù)計(jì)將獲得高達(dá)4.5億美元的直接資金支持。此外，額外的高達(dá)5億美元貸款將用于支持高帶寬內(nèi)存（HBM）的生產(chǎn)以及AI供應(yīng)鏈安全的先進(jìn)封裝研發(fā)。

SK海力士已將自己定位為NAND閃存和DRAM的領(lǐng)先供應(yīng)商。其在NAND和HBM方面的創(chuàng)新將有助于推動(dòng)下一代AI硬件的創(chuàng)建。AI工作負(fù)載非常依賴內(nèi)存，這使得內(nèi)存的進(jìn)步成為推動(dòng)AI硬件發(fā)展的基石。

SK海力士AI基礎(chǔ)設(shè)施負(fù)責(zé)人兼總裁Justin Kim表示：“隨著AI時(shí)代的全面到來(lái)，內(nèi)存解決方案的重要性日益凸顯，這不僅是單一的DRAM和NAND產(chǎn)品，而是多產(chǎn)品組合以提高性能的解決方案。在FMS上，我們將展示我們的競(jìng)爭(zhēng)力和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位，鞏固我們?cè)谌蚴袌?chǎng)的地位。”