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            EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

            因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

            作者: 時(shí)間:2024-08-13 來(lái)源:IT之家 收藏

            IT之家 8 月 13 日消息,華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱,SK 已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱, DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?3/3E 產(chǎn)能擠占。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202408/461979.htm

            今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間:各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能,這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降;再加上下半年是傳統(tǒng)旺季,預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。

            ▲ SK DDR5 DRAM

            IT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道,SK 海力士等三大原廠采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即將在 2024~2025 年推出。而從下代 1d nm 節(jié)點(diǎn)開(kāi)始,先進(jìn)內(nèi)存將使用 EUV 多重曝光,大幅提升生產(chǎn)流程中 EUV 光刻環(huán)節(jié)的成本。




            關(guān)鍵詞: 海力士 HBM 存儲(chǔ)

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