IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列），侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的 11 項(xiàng)專(zhuān)利或?qū)＠暾?qǐng)。

2023 年 11 月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就曾在美起訴美光專(zhuān)利侵權(quán)，涉 8 項(xiàng)專(zhuān)利；2024 年 6 月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光資助的咨詢(xún)公司，指控其散布虛假信息。如今長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，IT之家將跟進(jìn)后續(xù)訴訟消息。