內存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。

市場分析師預期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。

由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光等大廠持續(xù)鼓吹下，追漲的可能性上升。

市場分析師預估，2025年和2026年美光每股稅后純益（EPS），有可能達到20美元，其中，HBM將帶來3美元的直接影響。另外，HBM的供應吃緊情況，可驅動DRAM的價格上漲，進一步推升美光營收。

美光因HBM受到市場矚目，但根據(jù)法人調查，硅穿孔（TSV）為現(xiàn)有HBM3E供貨商的主要瓶頸，市場領導廠商海力士（SK Hynix）的TSV良率約為60％，HBM3E生產的總良率約為50％，對應前一代HBM3時，SK Hynix的總良率超過70％。

美光良率相對落后，可能在40％左右，三星TSV良率則較佳，約在60％左右，但三星關鍵問題是散熱，導致認證周期較長。

三星已獲得輝達有條件的小批量出貨批準，但散熱問題仍在，市場普遍認為，三星獲得輝達認證過關只是時間問題，但進展似乎比預期要略晚一些。

根據(jù)研調機構調查，由于目前8hi HBM3E的良率較低，且2025年將提升至12hi，預計HBM3E供應將保持緊張，即使三星進入該市場，但價格仍呈上漲趨勢（預估2025年上漲5％～10％）。長期而言，預計HBM市場規(guī)模在2024年至2026年期間的復合年增長率將達到95％。