英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級(jí)工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對(duì)的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶(hù)。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)發(fā)展。

英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器。

英特爾 3 制程技術(shù)（圖片來(lái)源：英特爾）
英特爾一直將其英特爾 3 制造工藝定位為針對(duì)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，這些應(yīng)用需要通過(guò)改進(jìn)的晶體管（與英特爾 4 相比）、降低晶體管通孔電阻的供電電路以及設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化來(lái)實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的性能。生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)支持 <0.6V 低壓和 >1.3V 高壓，以實(shí)現(xiàn)最大負(fù)載。在性能方面，英特爾承諾，與英特爾 18 相比，新節(jié)點(diǎn)將在相同的功率和晶體管密度下實(shí)現(xiàn) 3% 的性能提升。


英特爾 3 制程技術(shù)（圖片來(lái)源：英特爾）
為了獲得性能和密度優(yōu)勢(shì)的最佳組合，芯片設(shè)計(jì)人員將不得不使用 240nm 高性能和 210nm 高密度庫(kù)的組合。此外，英特爾客戶(hù)可以在三種金屬堆棧之間進(jìn)行選擇：14 層用于成本，18 層用于性能和成本之間的最佳平衡，以及 21 層金屬層用于提高性能。

英特爾 3 制程技術(shù)（圖片來(lái)源：英特爾）
目前，英特爾將使用其 3nm 級(jí)工藝技術(shù)使其至強(qiáng) 6 處理器成為數(shù)據(jù)中心。最終，英特爾晶圓代工廠將使用生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)為其客戶(hù)制造數(shù)據(jù)中心級(jí)處理器。

英特爾 3 制程技術(shù)（圖片來(lái)源：英特爾）
除了基礎(chǔ)英特爾 3 之外，該公司還將提供英特爾 3T，它支持硅通孔，可用作基礎(chǔ)芯片。未來(lái)，英特爾將為芯片組和存儲(chǔ)應(yīng)用提供功能增強(qiáng)的英特爾 3-E，以及性能增強(qiáng)的英特爾 3-PT，可用于各種工作負(fù)載，如 AI/HPC 和通用 PC。