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            瑞能半導體攜新一代高性能、高密度電源技術亮相 PCIM Europe 2024

            作者: 時間:2024-06-13 來源: 收藏

            可再生能源和電動汽車應用產(chǎn)品組合廣獲好評

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202406/459830.htm

            2024年6月12日,德國紐倫堡 — 當?shù)貢r間6月11日至13日,全球領先的國際化功率器件品牌瑞能半導體(以下可簡稱為:瑞能),參加全球電力電子行業(yè)最負盛名的展覽會之一的德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會 (PCIM Europe),展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術,以及諸如1200V 碳化硅功率模塊、650V /1200V SiC MOSFET、快恢復二極管、可控硅整流器、IGBT 和其他可應用于工業(yè),汽車,消費電子等領域的先進功率器件。

            PCIM Europe 成立于 1979 年,是全球最大的功率半導體展會,也是展示電力電子技術和應用最新進展的重要平臺。今年,瑞能以“Power Efficiency for a Cooler Planet”為主題,特別是展出的以可再生能源與電動汽車為重點應用場景的主推產(chǎn)品組合,受到了行業(yè)伙伴和現(xiàn)場觀眾的高度關注和認可。

            瑞能半導體CEO Markus Mosen先生表示,“五十余年的技術沉淀和積累,以及在技術和應用平臺上的不斷創(chuàng)新投入,瑞能半導體始終致力于研發(fā)可靠高效的電源控制技術,以支持高額定電壓和高效、高性能的應用運行。在PCIM Europe 2024,瑞能半導體會全方位展示當前重點聚焦的工業(yè)、汽車電子、可再生能源、大數(shù)據(jù)、消費電子等領域的研發(fā)成果,尤其是針對太陽能和風能存儲、電動汽車車載充電樁, 逆變器、大數(shù)據(jù)服務器等要求嚴苛的應用提供了不同的解決方案。在全球經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展大背景下,期待和廣大朋友共話功率器件的高質量發(fā)展之路,同筑低碳未來?!?/span>

            瑞能半導體不斷深耕專業(yè)技術,用產(chǎn)品詮釋對創(chuàng)新的理解。在今年的PCIM Europe上,瑞能展臺涵蓋了如下亮點:

            ● 全新系列的 SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二極管 (SBD)

            采用 TSPAK 封裝的,適用于電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度 PSU 應用。新型 MOSFET 有 650V、750V、1200V 和 1700V 四種型號,電阻范圍從 20mΩ 到 150mΩ。新型 SiC SBD 的電流范圍為 10 至 40A(650V、750V 和 1200V)。

            ● 全新SiC 功率模塊

            半橋、四組、六組、雙增壓和 NPC 3L 拓撲的 SiC 功率模塊,主要針對于電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、電機驅動器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。

            ● 全新 1700V SiC 技術和汽車級 1200V / 750V 車規(guī)SiC MOSFET

            提供多種封裝選項和產(chǎn)品配置,包括表面貼裝器件 (SMD分立器件和頂部冷卻,實現(xiàn)可再生能源和電動汽車的高功率、高密度設計,是高效率功率電源方案的最佳選擇。

            ● 高可靠性晶閘管/二極管模塊

            專為主流應用而設計,適用于 UPS、逆變器、軟啟動器等工業(yè)應用,VDRM 最高可達 1600V,IT(有效值)最高可達 250A。得益于其平面芯片技術和先進的模塊制造能力,這些模塊可采用半橋、并聯(lián)、反并聯(lián)或其他定制拓撲結構,并通過了 JEDEC 標準下的 1000 小時可靠性測試以及 100% 無鉛測試,符合最高級別的歐盟 RoHS 標準。

            ● MOSFET 系列產(chǎn)品

            產(chǎn)品覆蓋擊穿電壓范圍為 600V、650V 和 800V 的超級結 MOSFET。采用 8 英寸晶圓技術的 20V 至 30V MOSFET 系列產(chǎn)品,性能優(yōu)于傳統(tǒng)的平面 MOSFET。

            ● 功率二極管系列產(chǎn)品

            產(chǎn)品陣容涵蓋低 VF 產(chǎn)品陣容的額定電壓為 45V 至 2000V,額定電流為 1A 至 100A。產(chǎn)品組合包括低 VF 肖特基整流器、標準二極管和超快恢復整流器。

            ● 新一代IGBT 產(chǎn)品

            IGBT 系列產(chǎn)品具有極低的漏電流,在高溫和低溫結溫條件下均具有出色的傳導和開關特性。它們已通過高壓 H3TRB 和 100% 偏壓 HTRB 測試,最高結溫可安全達到 175°C。這些針對特定應用的 IGBT 經(jīng)過了調(diào)整,以滿足各種應用的精確需求,包括開關行為、傳導損耗、短路能力、環(huán)境耐用性和續(xù)流二極管特性。1200V 和 650V 變流產(chǎn)品包括裸芯片、分立元件和 PIM,可提供給各種終端客戶。

            隨著時間的推移,推動創(chuàng)新、打磨產(chǎn)品并贏得競爭優(yōu)勢。作為一家功率半導體廠商,瑞能半導體在體系構建,產(chǎn)品認證,功率模塊開發(fā)與制造等各個領域,已經(jīng)做了充足的積累和準備,去擁抱充滿不確定性的行業(yè)變化的浪潮。

            當下,瑞能半導體已將業(yè)務重點聚焦在工業(yè)和汽車電子,這兩個功率半導體最大的應用市場。受益于全球“碳中和”政策,混合動力電動汽車和可再生能源未來五年復合年增長率超過20%,這可視為是功率半導體市場增長的重要引擎。

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            Markus Mosen先生強調(diào),“瑞能在打造低碳未來的進程中,會扮演好兩個角色:一是自身生產(chǎn)運營中的降碳;另一個則更為重要,就是用自己的產(chǎn)品去助力其他企業(yè)、行業(yè)實現(xiàn)節(jié)能降碳,例如會采用效率更高的功率半導體或智能化模塊,來改善轉換效率帶來的功率損失。”

            近期,瑞能車規(guī)推出車規(guī)級碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,以及基于最新技術平臺開發(fā)的碳化硅二極管,硅MOSFET,不同封裝的功率模塊基于自身的功率模塊廠的布局也會陸續(xù)推出。

            -完-

            關于瑞能半導體

            瑞能半導體專注于功率半導體領域,傳承逾50年的核心技術,全球銷售點遍布大中華區(qū)、歐洲、亞太及美洲,產(chǎn)品應用覆蓋智能家電,電動汽車,通訊工業(yè)等行業(yè),為客戶在各自細分行業(yè)提供可靠專業(yè)的技術支持。瑞能半導體掌握獨立的功率半導體技術,憑借優(yōu)異的品質和性能,其產(chǎn)品已被全球眾多知名企業(yè)驗證并使用。





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