針對應用于2 MW范圍的電力電子系統(tǒng)，當下關注的焦點是采用何種技術以及具有多久的生命周期。
常見的功率半導體模塊有兩種，一種是傳統(tǒng)的焊接鍵結型功率半導體模塊，另一種是具有相同額定功率的壓接型功率半導體模塊，如圖一、圖二所示。

 

圖一 : 焊接鍵結型功率半導體


 
圖二 : 壓接型IGBT

預期使用壽命主要由功率循環(huán)（PC）進行驗證。半導體中的電流變化會導致組裝和連接產生溫度偏差。上電最初幾秒鐘內的熱波動使得鍵合線因熱膨脹而產生微小移動。長遠來看，這些移動會導致諸如鍵合線脫落或在鍵合點斷裂的缺陷。
如果脈沖持續(xù)時間延長，結構中各部件會發(fā)熱，由于每一層的熱膨脹系數不同，會導致機械應力的產生。長期來看，機械應力會導致鍵結層的分解和分層。最終，接觸熱阻增加，裝置因發(fā)熱而失效。
壓接型結構無需鍵合線，且不存在大面積焊線，因此，與焊接型結構相比，壓接型IGBT理應能允許更多次的功率循環(huán)。
然而，圖三和圖四中相應曲線的比較最初似乎反駁了這一點。


 
圖三 : PC曲線，壓接型組件

 
圖四 : PC曲線，焊接鍵結型組件

觀察圖表中80 K溫度波動下的循環(huán)次數，壓接型組件是30,000次循環(huán)而焊接鍵結型模塊是200,000次循環(huán)，為壓接型組件的六倍之多。

壓接型裝置真的過早失效嗎？
經驗表明，這種情況不會發(fā)生。有些配備了壓接型閘流管的系統(tǒng)運作幾十年并未發(fā)生失效，但是圖表曲線為什么沒有反映這一點呢？
乍一看確實沒有，但若深入研究就會發(fā)現測試邊界條件不同。
焊接鍵結型模塊的功率循環(huán)是透過施加1.5 秒持續(xù)脈沖來實現。通電后焊接線產生的較小熱量使得芯片達到所需溫度，斷電后1.5 秒內再次冷卻回到初始溫度，因此一個循環(huán)的時間為3 秒。
壓接型裝置的熱容量由與其接觸的固體金屬板決定，這些銅盤通常重達幾百克，幾乎不會在幾秒鐘內產生溫升。將裝置加熱到所需溫度的典型循環(huán)周期是導通3分鐘，冷卻2分鐘，整個周期持續(xù)5分鐘。
因此，使用焊接鍵結技術在80 K波動下進行100,000次循環(huán)操作需耗時300,000秒，相當于83小時或三天多一點的時間。相較之下，壓接型組件每5分鐘一個周期，共100,000個周期的循環(huán)測試，需要耗時347天。
另一值得注意的是：壓接型器件的曲線顯示“測試通過”是一項例行測試，可確保器件滿足最低要求但并不意味著產品已達到壽命時間，100%的壓接型器件都需要達到這個結果。
相較之下，焊接鍵合模塊的PC曲線顯示“測試失敗”，則表示在此循環(huán)次數下裝置已達到了使用壽命。根據標準規(guī)范，這種情況下的測試結果僅限于95%的測試部件。 100%的測試曲線通常比壽命結束時的曲線低一個數量級。
因此，壓接型器件的PC曲線是極其保守的表述。

為什么制造商不為壓接型器件提供「測試失敗」曲線呢？
經驗表明，壓接型器件幾乎不受功率循環(huán)的影響，并且不會由于施加負載而現場失效。因此，「通過測試」曲線肯定比「失敗測試」曲線低至少2個數量級。
即使在160 K的溫度波動下壓接型器件不是承受2000次的循環(huán)測試，而是高出兩個數量級，相當于200,000次循環(huán)，這將使得測試持續(xù)時間為100萬分鐘，約近700天。由于繪制曲線需要至少兩個或三個測量點，因此需要在60 K和100 K的溫度波動下進行額外的測試。
對于60 K的溫度波動，曲線上顯示需要100,000次循環(huán)，那么再多一個數量級就意味著100萬次循環(huán)、500萬分鐘或近10年的測試周期。
此外，這些測試中每個子單元至少需要1.5 kW的功率，一個裝置則需要相當于不低于30 kW的測試功率。測試在高溫下進行，目標是透過加速手段達到實際的壽命時間，但這反應出另一個困難。測試中的失效并沒有影響壓接型裝置，在測試裝置出現任何損壞之前，測試裝置本身就因電源循環(huán)而失效。

這對設計意味著什么？
電力電子學中，功率循環(huán)主要與焊接鍵結的失效有關，但是壓接型封裝結構不存在此失效機制。此外，壓接型組件的大熱容意味著半導體的升溫速度要慢得多，雙面冷卻也減少了相同功率的溫度波動。
綜合來看，緩解效應意味著經典的「功率循環(huán)」失效機制不會對壓接型組件的壽命產生影響，這也是設計應用于鐵路、船舶推進系統(tǒng)和電解工廠的原因之一。這些應用中，20年內的使用壽命預計可達160,000小時。