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            第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%

            作者: 時間:2024-05-07 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

            據(jù)集邦咨詢最新預(yù)估,第二季合約價季漲幅將上修至13~18%;合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202405/458421.htm

            403地震發(fā)生前,集邦咨詢原先預(yù)估,第二季合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出,現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機(jī)的需求尚未有復(fù)蘇跡象,買方在手庫存逐漸增高,又以PC OEM為最。同時,至今已分別續(xù)漲2~3個季度,買方再接受大幅漲價的意愿消退。

            403震后,市場零星傳出有PC OEM供應(yīng)商出于特殊考量,接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價漲幅,但僅是零星成交情況。至4月下旬,相關(guān)業(yè)者陸續(xù)完成新一輪合約價議價后,漲幅較原先預(yù)期擴(kuò)大,推動集邦咨詢同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲幅,除了反映買方欲支撐在手庫存的價值,關(guān)鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。

            TrendForce集邦咨詢表示,由于原廠擔(dān)憂后續(xù)出現(xiàn)HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng),以三星(Samsung)來看,HBM3e產(chǎn)品采用1alpha制程節(jié)點(diǎn),至2024年底將占用1alpha制程產(chǎn)能約六成,進(jìn)一步排擠DDR5供給量,尤其以第三季HBM3e生產(chǎn)即將放量的時間點(diǎn)影響最大,經(jīng)評估后買方轉(zhuǎn)而愿意第二季提前備貨,應(yīng)對第三季起可能出現(xiàn)HBM供應(yīng)短缺。

            同時,隨著節(jié)能成為AI推理服務(wù)器(AI Inference Server)優(yōu)先考量,北美云端服務(wù)業(yè)者(CSP)擴(kuò)大采用QLC Enterprise SSD作為存儲的解決方案,帶動QLC Enterprise SSD需求,并加速部分供應(yīng)商的庫存去化,推動部分供應(yīng)商出現(xiàn)惜售心態(tài)。值得注意的是,受限于消費(fèi)性產(chǎn)品需求復(fù)蘇情況不明朗,故原廠普遍對于非HBM晶圓產(chǎn)能的資本支出趨于保守,尤其是價格仍處于損益平衡點(diǎn)的NAND Flash。




            關(guān)鍵詞: DRAM NAND Flash TrendForce

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