據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。

眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。

自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯片層數(shù)上。隨著3D堆疊時(shí)代的到來(lái)，在三星、鎧俠、SK海力士等存儲(chǔ)廠商的不斷推動(dòng)下，NAND Flash閃存堆疊層數(shù)不斷被刷新。

目前，各大廠商的NAND閃存堆疊層數(shù)均已突破200層，并持續(xù)向更高層數(shù)的NAND Flash邁進(jìn)，其中三星和鎧俠更是將目標(biāo)瞄準(zhǔn)1000層。根據(jù)此前的消息，三星計(jì)劃在2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層），2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash。

NAND Flash價(jià)格回漲

受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求不振、市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)等因素影響，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)了較為漫長(zhǎng)的低迷時(shí)期。其中NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)自2022年第三季開(kāi)始連續(xù)四個(gè)季度下跌，直到2023年第三季開(kāi)始起漲。隨后，自2023年第四季度開(kāi)始，存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)始逐漸反彈，NAND Flash價(jià)格也開(kāi)始回漲。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購(gòu)量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫(kù)存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢(shì)上漲約13~18%。

從各品類來(lái)看，集邦咨詢預(yù)估，2024年第二季度，Enterprise SSD合約價(jià)漲幅為全線產(chǎn)品最高，季增20~25%；eMMC、UFS、Client SSD合約價(jià)將分別季增10~15%，NAND Flash Wafer漲幅則較第一季大幅收斂，預(yù)估季增5~10%。