國(guó)創(chuàng)中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室在北京亦莊啟用
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時(shí)間：2024-03-11
來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察
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據(jù)國(guó)創(chuàng)中心公眾號(hào)消息，近日，國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室正式投入運(yùn)營(yíng)，為汽車半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步和質(zhì)量提升提供支撐。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202403/456183.htm由于車規(guī)功率半導(dǎo)體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開(kāi)關(guān)能力、耐高溫特性等特點(diǎn)，因此需要通過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量認(rèn)證和測(cè)試來(lái)確保其質(zhì)量和可靠性。
據(jù)悉，目前，該實(shí)驗(yàn)室測(cè)試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并持續(xù)完善車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）、板級(jí)及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試，確保滿足最嚴(yán)苛的汽車電子質(zhì)量要求。其中，面向行業(yè)研究熱點(diǎn)之一的SiC，該實(shí)驗(yàn)室能對(duì)Si基和SiC基的DIODE、MOSFET、IGBT等車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體分立器件和模塊進(jìn)行全面測(cè)試。
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