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            EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響!三星2nm時(shí)間表公布

            2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響!三星2nm時(shí)間表公布

            作者: 時(shí)間:2024-02-05 來(lái)源:快科技 收藏

            2月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,計(jì)劃明年在韓國(guó)開(kāi)始工藝的制造,并且在2047年之前,將在韓國(guó)投資500萬(wàn)億韓元,建立一個(gè)巨型工廠,將進(jìn)行制造。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202402/455355.htm

            據(jù)悉,工藝被視為下一代制程的關(guān)鍵性突破,它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹?/p>

            作為最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié),臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái),引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

            臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù),在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%。

            業(yè)內(nèi)人士指出,三星、臺(tái)積電均具備2025年量產(chǎn)2nm工藝的實(shí)力,但是在良率以及客戶認(rèn)可度方面會(huì)有所差別。

            舉例來(lái)說(shuō),此前高通驍龍8 Gen1采用的是三星4nm工藝,因功耗問(wèn)題高通換成了臺(tái)積電4nm,從驍龍8+ Gen1開(kāi)始,高通驍龍8系全面擁抱臺(tái)積電。

            如果三星芯片良率提升,功耗不翻車的話,高通未來(lái)的驍龍8系列處理器有可能再次交由三星代工。

            在這場(chǎng)2nm之戰(zhàn)中,無(wú)論是臺(tái)積電還是三星,都很難成為絕對(duì)的贏家,畢竟一枝獨(dú)秀不是春,百花齊放春滿園。




            關(guān)鍵詞: 2nm 半導(dǎo)體 三星

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