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      EEPW首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 對(duì)于采用雙向自動(dòng)檢測(cè)IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

      對(duì)于采用雙向自動(dòng)檢測(cè)IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

      作者:Sales and Marketing/Shenzhen China——Zoe Yang 時(shí)間:2024-01-12 來(lái)源:TI 收藏

      Abstract

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202401/454727.htm

      TXB0104是應(yīng)用在AM3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC (嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測(cè)電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足,需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識(shí)別信號(hào)傳輸方向的時(shí)候,需要注意外部硬件設(shè)計(jì),不然可能會(huì)出現(xiàn)掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。

      問(wèn)題背景:

      EMMC與AM3352掛載失敗,定位為T(mén)XB0104工作異常。實(shí)測(cè)中發(fā)現(xiàn)如圖中線路所示:

      1. 只有D0通道無(wú)信號(hào),因?yàn)閷0數(shù)據(jù)線由主芯片(AM3352)側(cè)飛線到EMMC,D0開(kāi)始傳輸數(shù)據(jù)信號(hào),eMMC掛載正常(該情況下在AM3352側(cè)也能測(cè)到D1/2/3的數(shù)據(jù)波形);

      2. 將D0飛線跨過(guò)該轉(zhuǎn)換芯片,同時(shí)斷開(kāi)D2(在轉(zhuǎn)換芯片與eMMC之間),掛載失??;——綜合1、2,說(shuō)明D2在掛載的時(shí)候需要使用到,同時(shí)在雙向電平轉(zhuǎn)換芯片中D2通道正常;

      3. 將D0和D2數(shù)據(jù)線在U7中對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換通道中交叉焊接,測(cè)試D0無(wú)信號(hào)(D0無(wú)信號(hào)的時(shí)候D1/2/3也無(wú)波形),eMMC掛載失??;

      4. 將D0飛線跨過(guò)該轉(zhuǎn)換芯片,同時(shí)將D2數(shù)據(jù)線連接U7的D0通道,可以正常掛載上;——雙向電平轉(zhuǎn)換芯片中D0通道正常,但連接上D0數(shù)據(jù)后異常;

      圖1.異常板子的電路圖

      掛載時(shí)好時(shí)壞的板子分別在正常時(shí)、異常時(shí)的D0信號(hào)波形如下

      圖2.正常(上)和異常(下)掛載的板子傳輸信號(hào)D0通道波形

       

      問(wèn)題聚焦:

      檢查線路圖后發(fā)現(xiàn), OE上拉到3.3VCCB。規(guī)格書(shū)明確指出,針對(duì)在上電過(guò)程中,OE在電源穩(wěn)定之前必須保持低電平。

      圖3.規(guī)格書(shū)中聲明OE的上電時(shí)序

      現(xiàn)同時(shí)通過(guò)原始電阻分壓采樣VCCB上電時(shí)序和OE的管腳波形,發(fā)現(xiàn)OE與VCCB同時(shí)上電。

      圖4. 原始電阻分壓時(shí)序展開(kāi):OE與VCCB同時(shí)上電

      VOLB識(shí)別低電平的狀態(tài)在3.3V供電狀態(tài)最高為0.4V,因此要延長(zhǎng)VOE保持低電平的時(shí)間,讓IC保證識(shí)別到低電平狀態(tài)。

      圖5.高低電平閾值比較


      整改方案:

      為了能保證OE在上電期間保持足夠的低電平,建議將R24電阻替換成1uF的電容。利用電容替代電阻的方法可以適當(dāng)增加RC時(shí)間常數(shù)來(lái)穩(wěn)定OE保持低電平的時(shí)間。

      圖6.原始電路基礎(chǔ)上的整改方案

      重新通過(guò)原始電阻分壓采樣VCCB上電時(shí)序和OE的管腳波形,發(fā)現(xiàn)換成1uF電容電壓時(shí)序展開(kāi)(t=1/RC),在VCCB穩(wěn)定后OE保持低電平(<0.35VCCB)的時(shí)間約為320us,掛載異常不再?gòu)?fù)現(xiàn)。

      圖7.enable建議時(shí)間

      圖8.VCC與OE爬升時(shí)間拉長(zhǎng)


      分析總結(jié):

      經(jīng)過(guò)測(cè)試分析,延長(zhǎng)OE的低電平時(shí)間可以有效地避免MCU和EMMC芯片握手失敗。

      這種導(dǎo)致芯片傳輸掛機(jī)失敗的原因是由于TXB0104在上電期間的傳輸口是不定態(tài)所致。

      如果TXB0104的OE腳沒(méi)被拉低,則在上電期間傳輸口A,B會(huì)處于不定態(tài)(低電平,高電平或高阻態(tài)),此時(shí)要求和傳輸口A,B相連的EMMC和MCU相應(yīng)I/O口此刻應(yīng)保持確定的高阻態(tài),以確保上電期間EMMC和MCU的I/O口不會(huì)被短路。 如果TXB0104的OE腳在上電期間被拉低(將對(duì)地電阻換成電容),則傳輸口A,B是處于確定的高阻態(tài),對(duì)相連的EMMC和MCU的I/O沒(méi)有影響,信號(hào)就能正常傳輸。

      所以在OE端口掛電容能保證上電期間傳輸口確定的高阻態(tài),故障因此得以消除。

      為了簡(jiǎn)化用戶系統(tǒng)的設(shè)計(jì)分析,下面通過(guò)一個(gè)流程圖來(lái)梳理TXB0104的I/O口各個(gè)狀態(tài)對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的應(yīng)用可能,避免類似的不定態(tài)傳輸導(dǎo)致信號(hào)判斷失誤。

      圖9.I/O端口狀態(tài)流程圖



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