今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。

mos管驅(qū)動(dòng)有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，我們就以這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)為主。

說起mos管關(guān)斷，通常電壓會(huì)比開通時(shí)高，所以關(guān)斷的損失也會(huì)比開通時(shí)大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。

那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？

咱們看看這張圖

在mos管開通時(shí)，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；

要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。

當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí)，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超過0.7V，電流就會(huì)通過二極管，然后與R1串聯(lián)進(jìn)行放電，這樣驅(qū)動(dòng)電阻就能減小，從而可以讓mos管快速關(guān)斷，進(jìn)而減少關(guān)斷損失。

這兒有個(gè)問題：要是芯片驅(qū)動(dòng)能力不夠咋弄？

答案就是：我們可以通過增加PNP三極管來實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)mos管開通時(shí)，還是讓芯片直接驅(qū)動(dòng)，但關(guān)斷時(shí)可以通過三極管放電。

這時(shí)候，三極管的be電流能控制ec電流，進(jìn)而釋放mos管的柵極電容的電荷。只要三極管的ce電流滿足特定條件，ec的電流就能通過be電流進(jìn)行擴(kuò)大，這樣電源IC所需的關(guān)斷能力就會(huì)小很多。

這樣一來，不僅能解決mos管開關(guān)慢的問題，還能解決IC驅(qū)動(dòng)能力不足的問題。