IT之家 11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。

集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。

移動 DRAM：

根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是終端 AI 的崛起，包括驍龍 8 Gen 3、天璣 9300 和 Exynos 2400 等各種芯片組在內(nèi)，都加碼 AI 元素。

而要在本地運行這些 AI 元素，必然離不開更大的內(nèi)存空間。IT之家翻譯麥格里（Macquarie）本月發(fā)布的報告部分內(nèi)容如下：

• 目前典型的智能手機配備 8GB 內(nèi)存

• 運行圖像生成功能的終端側(cè) AI，手機大約需要 12GB 內(nèi)存

• 具備數(shù)字 AI 助手功能的設備，大約需要 20GB 內(nèi)存

未來消費者如果想要在手機終端上本地運行 AI 模型，大容量內(nèi)存是必不可少的。目前國內(nèi)手機廠商不斷推高手機內(nèi)存容量，包括小米 Redmi K60 至尊版、一加 Ace 2 Pro、realme 真我 GT5 在內(nèi)的部分手機已提供 24GB 版本。

DDR5 市場需求顯著增長

行業(yè)專家預計，在價格下降和公司收益率持續(xù)提高的推動下，DDR5 市場的需求將大幅增長。

DDR5 作為一款高附加值的 DRAM，繼續(xù)受到各大廠商的青睞。美光最近宣布推出基于 1β 技術(shù)的 DDR5 內(nèi)存，速度高達 7200 MT/s，標志著向數(shù)據(jù)中心和 PC 市場的轉(zhuǎn)變。

最近，美光還推出了采用 128Gb 芯片的 5GB DDR32 RDIMM 內(nèi)存。該系列擁有高達 8000 MT/s 的速度，適用于服務器和工作站。這些系列采用美光的 1β 技術(shù)，可將能效提高 24%，延遲減少 16%。此外，美光計劃在 2024 年推出速度為 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 的型號，未來即將推出的型號速度為 8000 MT/s。

三星方面，據(jù)悉將擴大 DDR5 生產(chǎn)線。鑒于 DDR5 的高價值及其在 PC 和服務器市場的采用，今年被認為是“大規(guī)模采用 DDR5 的一年”。

改善 HBM 供應

與 DDR5 類似，HBM 作為高附加值的 DRAM 今年備受關(guān)注。在人工智能趨勢的推動下，HBM 市場的需求激增，各家供應商不斷擴大其產(chǎn)能。

最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。

美光也在積極籌備 HBM 生產(chǎn)，于 11 月 6 日在臺中開設了新工廠。美光表示，這個新設施將集成先進的測試和封裝功能，并將致力大規(guī)模生產(chǎn) HBM3E 以及其他產(chǎn)品。此次擴展旨在滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和云服務等各種應用日益增長的需求。

美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 透露，該公司計劃在 2024 年初開始大量出貨 HBM3E。美光的 HBM3E 技術(shù)目前正在接受 NVIDIA 的認證。最初的 HBM3E 產(chǎn)品將采用 8-Hi 堆棧設計，容量為 24GB，帶寬超過 1.2TB / s。