據英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產（HVM）Intel 4制程節(jié)點。

據悉，作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產的制程節(jié)點，Intel 4與先前的節(jié)點相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實現了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅動著算力需求最高的應用，如AI、先進移動網絡、自動駕駛及新型數據中心和云應用。

英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前，Intel 7和Intel 4已實現大規(guī)模量產；Intel 3正在按計劃推進，目標是2023年底；采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術的Intel 20A和Intel 18A同樣進展順利，目標是2024年。此外，英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務（IFS）客戶的Intel 18A制程設計套件（PDK）。