近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動，NAND Flash 芯片現(xiàn)貨市場部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce 報(bào)告稱，這一增長主要源于 8 月底 NAND Flash 供應(yīng)商與中國主要模塊制造商之間的談判。這些談判促成了一份新的晶圓合同，成功地將 512Gb 晶圓的價(jià)格提高了約 10%。

其他供應(yīng)商也提高了同類產(chǎn)品的價(jià)格，這表明供應(yīng)商情緒發(fā)生了轉(zhuǎn)變：他們現(xiàn)在不太愿意以較低的價(jià)格完成交易。這一變化促成了晶圓現(xiàn)貨市場的短期飆升。然而，這種采購激增是否得到實(shí)際終端用戶需求的支持仍不確定，因?yàn)檫@些訂單是對供應(yīng)方定價(jià)調(diào)整的反應(yīng)。

供應(yīng)商對定價(jià)保持堅(jiān)挺，并尋求通過減產(chǎn)加速觸底反彈

從 2022 年第 2 季度開始，鎧俠和美光率先減產(chǎn)，2023 年第 2 季度三星緊隨其后。然而，這些削減的效果要到 2023 年下半年才能完全實(shí)現(xiàn)。TrendForce 報(bào)道稱，三星最初將產(chǎn)量削減了 25%，預(yù)計(jì)到 2023 年第 4 季度這一數(shù)字將增至 35%。這表明市場持續(xù)存在供應(yīng)過剩壓力。如果沒有供應(yīng)商的積極干預(yù)，即使需求在 2023 年下半年略有復(fù)蘇，NAND Flash 相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格的觸底反彈也將面臨挑戰(zhàn)。因此，目前各大 NAND Flash 供應(yīng)商都在積極減產(chǎn)來控制供應(yīng)，以阻止價(jià)格進(jìn)一步下跌，防止價(jià)格再創(chuàng)新低。

隨著近期 NAND Flash 晶圓價(jià)格的上漲，金士頓、群聯(lián)等模組廠商的成本壓力加大。作為回應(yīng)，這些公司越來越多地宣布打算提高最終產(chǎn)品的價(jià)格，特別是在 SSD 領(lǐng)域。最近，這些供應(yīng)商已恢復(fù)官方交易定價(jià)，不再允許客戶協(xié)商更低的價(jià)格。

首先是大型科技公司和傳統(tǒng)企業(yè)原始設(shè)備制造商 (OEM) 對企業(yè)級固態(tài)硬盤 (SSD) 的需求增加。這些企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲的要求越來越高，因此采用更多的企業(yè)級 SSD 來滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)處理和存儲的需求。其次，SSD 在 PC 和游戲機(jī)中的普及也是推動市場增長的因素之一。隨著人們對快速啟動和高效數(shù)據(jù)讀寫的需求增加，SSD 在個(gè)人電腦和游戲機(jī)中的應(yīng)用越來越廣泛。智能手機(jī)和其他移動設(shè)備存儲容量的增加也是推動市場增長的因素之一。隨著用戶在手機(jī)中存儲大量照片、視頻和應(yīng)用程序的需求增加，手機(jī)制造商需要提供更大容量的存儲解決方案，這將推動 NAND Flash 市場的增長。

TrendForce 認(rèn)為，由于供應(yīng)商繼續(xù)掌握晶圓及相關(guān) NAND Flash 產(chǎn)品價(jià)格的決定權(quán)，短期市場價(jià)格波動在意料之中。韓國供應(yīng)商可能會在第四季度進(jìn)一步削減 NAND Flash 產(chǎn)量，以穩(wěn)定價(jià)格。然而，與實(shí)際的最終用戶需求相比，買家對未來的需求前景仍然保持謹(jǐn)慎甚至悲觀。因此，即使采購成本增加，也不太可能刺激訂單量激增。因此，當(dāng)前硅片現(xiàn)貨市場價(jià)格上漲趨勢的可持續(xù)性仍值得觀察。

6 月?lián)娮訒r(shí)報(bào)報(bào)道，消息人士透露，三星計(jì)劃提高 NAND 晶圓價(jià)格。此外，如果消費(fèi)電子市場需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報(bào)價(jià)或?qū)⒒厣?/p>

之前三星和 SK 海力士已在尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5%，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下，一些品牌 SSD 價(jià)格已接近 HDD 價(jià)格。

另據(jù) TrendForce 本周調(diào)查報(bào)告顯示，5 月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高 NAND 晶圓報(bào)價(jià)，對于中國市場報(bào)價(jià)均已略高于 3-4 月成交價(jià)。

因此，該機(jī)構(gòu)預(yù)估 6 月模組廠啟動備貨下，主流容量 512Gb NAND 閃存晶圓有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自 2022 年 5 月以來的猛烈跌勢，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約 0-5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至 8%-13%。臺積電先進(jìn)制程擬明年漲價(jià) 3%-6%

據(jù)臺媒報(bào)道，IC 設(shè)計(jì)廠商表示，臺積電計(jì)劃從明年 1 月起將調(diào)漲先進(jìn)制程的報(bào)價(jià)，漲幅達(dá) 3%-6%。

IC 設(shè)計(jì)廠商稱，按照制程、訂單規(guī)模與合作緊密程度，眾廠漲幅不一，目前臺積電已陸續(xù)與與蘋果、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、高通及博通等多家客戶進(jìn)行溝通漲價(jià)事宜。對于臺積電逆勢漲價(jià)的原因，廠商表示，主要是因?yàn)閮r(jià)格一旦下調(diào)就回不去，此外臺積電面對海外擴(kuò)產(chǎn)成本、電費(fèi)上漲等多方面壓力。

展望 2024 年，TrendForce 另一篇研報(bào)表示，預(yù)期 2024 年存儲器原廠對于 DRAM 與 NAND Flash 的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)，尤其以虧損嚴(yán)重的 NAND Flash 更為明確。預(yù)估 2024 上半年，消費(fèi)電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務(wù)器的資本支出仍受到 AI 服務(wù)器排擠、顯得相對需求疲弱，有鑒于 2023 年基期已低，加上部分存儲器產(chǎn)品價(jià)格已來到相對低點(diǎn)，預(yù)估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元同比增幅分別有 13.0% 及 16.0%。