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      英特爾新處理器曝光,制程大步前進(jìn)

      作者: 時(shí)間:2023-08-25 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

      近日,在馬來西亞封測(cè)廠舉行了一場(chǎng)參訪團(tuán)活動(dòng),這是該廠區(qū)近 51 年來首度開放媒體參觀檳城與居林廠區(qū),過程中也讓今年下半年稍晚才要正式發(fā)表、首款采用 Intel 4 制程的,在生產(chǎn)線的實(shí)際運(yùn)作情形得以首次曝光。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202308/449937.htm

      這意味該芯片已進(jìn)入最后準(zhǔn)備階段,也顯示要在 4 年內(nèi)推進(jìn) 5 個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃又往前邁出一大步。

      在全球共有 10 個(gè)生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),這次邀請(qǐng)全球上百名媒體與分析師參訪在檳城的組裝測(cè)試廠、故障分析實(shí)驗(yàn)室、驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室,以及位于居林的晶圓處理加工廠,還有測(cè)試設(shè)備制造廠。

      在檳城廠區(qū)的組裝測(cè)試廠中,外界得以親眼直擊英特爾下半年稍晚才要登場(chǎng)的 Meteor Lake ,采用 4 個(gè)小芯片合并而成,已經(jīng)在生產(chǎn)線上進(jìn)行最后的組裝測(cè)試。

      目前,英特爾量產(chǎn)的最先進(jìn)技術(shù)為 Intel 7 制程,比前一代 Intel 10 的 SuperFin 制程的每瓦效能提升約 10%-15%,而 Meteor Lake 采用 Intel 4 制程生產(chǎn),導(dǎo)入了極紫外光(EUV)光刻技術(shù),此制程標(biāo)榜可讓產(chǎn)品的每瓦效能又提升約 20%。后續(xù)該公司還要持續(xù)推進(jìn)到 Intel 3 制程,預(yù)計(jì)今年下半年可準(zhǔn)備量產(chǎn),Intel 20A 與 18A 制程則規(guī)劃分別于明年上、下半年進(jìn)入準(zhǔn)備量產(chǎn)階段。

      建新廠沖先進(jìn)封裝

      英特爾正在馬來西亞檳城興新建封裝廠,強(qiáng)化 2.5D/3D 封裝布局版圖,到 2025 年,旗下最先進(jìn)的 3D Foveros 封裝產(chǎn)能將開放給客戶使用。

      外界預(yù)期,英特爾結(jié)合先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝能量后,「一條龍生產(chǎn)」實(shí)力大增,在晶圓代工領(lǐng)域更具競(jìng)爭(zhēng)力,與臺(tái)積電、三星等勁敵再次杠上。

      同時(shí),英特爾自家先進(jìn)封裝能力更壯大,并喊話開放讓客戶只選用其先進(jìn)封裝方案后,預(yù)料也會(huì)掀起封測(cè)市場(chǎng)騷動(dòng),須密切關(guān)注對(duì)日月光、安靠等 OSAT 封測(cè)廠的沖擊。

      臺(tái)積電、三星都積極布建先進(jìn)封裝技術(shù)。臺(tái)積電方面,主打 3D Fabric 先進(jìn)封裝,包括 InFo、CoWoS 與 SoIC 方案; 三星也發(fā)展 I-cube、X-Cube 等封裝技術(shù)。

      英特爾不落人后,其先進(jìn)封裝包括 2.5D EMIB 與 3D Foveros 方案。半導(dǎo)體三雄的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)從晶圓代工領(lǐng)域,一路延伸至先進(jìn)封裝。

      英特爾從 2017 年開始導(dǎo)入 EMIB 封裝,第一代 Foveros 封裝則于 2019 年推出,當(dāng)時(shí)凸點(diǎn)間距為 50 微米。預(yù)計(jì)今年下半年稍晚推出的最新 Meteor Lake ,則將利用第二代 Foveros 封裝技術(shù),凸點(diǎn)間距進(jìn)一步縮小為 36 微米。

      英特爾并未透露現(xiàn)階段其 3D Foveros 封裝總產(chǎn)能,僅強(qiáng)調(diào)除了在美國奧勒岡州與新墨西哥州之外,在未來的檳城新廠也有相關(guān)產(chǎn)能建置,這三個(gè)據(jù)點(diǎn)的 3D 封裝產(chǎn)能合計(jì)將于 2025 年時(shí)增為目前的 4 倍。

      英特爾副總裁 Robin Martin 在 22 日受訪時(shí)強(qiáng)調(diào),未來檳城新廠將會(huì)成為英特爾最大的 3D Foveros 先進(jìn)封裝據(jù)點(diǎn)。

      兩年前,英特爾宣布投資 35 億美元擴(kuò)充新墨西哥州的先進(jìn)封裝產(chǎn)能,至今仍進(jìn)行中。至于檳城新廠,該公司表示,興建進(jìn)度符合計(jì)劃,外界預(yù)估,該新廠可能于 2024 年稍晚或 2025 年完工運(yùn)作。

      值得注意的是,除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務(wù),英特爾表示,開放讓客戶也可以只選用其先進(jìn)封裝方案,目的是希望讓客戶可以更能擁有生產(chǎn)彈性。

      英特爾在 CEO 基辛格帶領(lǐng)下,推行 IDM 2.0 策略,除了增加自家晶圓廠產(chǎn)能,擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù),同時(shí)也希望彈性利用第三方的晶圓代工產(chǎn)能。

      隨著先進(jìn)制程演進(jìn),小芯片(Chiplet)與異質(zhì)整合的發(fā)展趨勢(shì)明確,外界認(rèn)為,英特爾的 2.5D/3D 先進(jìn)封裝布局除了強(qiáng)化自身處理器等產(chǎn)品實(shí)力之外,也是其未來對(duì)客戶爭(zhēng)取更多晶圓代工服務(wù)生意的一大賣點(diǎn)。

      目前,幾大晶圓廠積極布局先進(jìn)封裝,由于芯片堆疊層數(shù)大增,帶動(dòng) ABF 載板需求倍增。

      業(yè)界分析,目前各大廠喊出的 3D 先進(jìn)封裝實(shí)際仍需要 2.5D 封裝制程的載板乘載,而且良率仍低,若有出海口且大廠積極導(dǎo)入多元應(yīng)用,未來載板需求增長可期。

      遭到市場(chǎng)點(diǎn)名的廠商一貫不評(píng)論單一客戶信息。產(chǎn)業(yè)界分別提到,先前 3D 封裝概念首度推出時(shí),不少人都認(rèn)為未來不需要載板,因?yàn)榭捎删A廠直接 3D 堆疊做完全套制程,但實(shí)際在終端應(yīng)用上僅少數(shù)裝置產(chǎn)品可采用,這是因?yàn)?3D 封裝成本較高,需要量大且真正有產(chǎn)品的出??诓拍芙档统杀尽?/p>

      業(yè)界分析,從目前 ABF 載板最大需求應(yīng)用在高速運(yùn)算來看,尚未全數(shù)使用 3D 封裝,僅在部分芯片內(nèi)存做 3D 封裝。產(chǎn)業(yè)界提到,當(dāng)前 3D 封裝其實(shí)仍是 2.5D 技術(shù)加上部分 3D,中端尚未能全面實(shí)現(xiàn)僅 3D 封裝而不需 2.5D 封裝,而 2.5D 相關(guān)先進(jìn)封裝正是載板廠商機(jī)所在。



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