三星電子將在橫濱建立一個開發(fā)設施，這是一項極具象征意義的舉措，有望促進日本和韓國芯片行業(yè)之間的合作。

新設施將耗資超過 300 億日元（2.22 億美元），建在東京西南部的橫濱，這里是韓國公司現有地點三星日本研究所的所在地。開發(fā)中心將是一個獨立的單元。計劃中的投資將利用日本和韓國的共同專業(yè)知識。三星是世界上最大的內存芯片制造商，而日本是晶圓和芯片制造設備等芯片生產基礎材料的主要生產商。

除了公司將為原型芯片設備建立生產線外，沒有具體細節(jié)。

新工廠將雇用數百名員工，目標是在 2025 年開始運營。三星正在尋求利用日本政府提供的半導體投資補貼。預計補貼總額將超過 100 億日元。

三星拒絕置評。

傳三星即將發(fā)布第二代 3nm 制程技術性能相比 4nm 提升 22%。據 ThePulse，三星將在 6 月 11 至 16 日于日本舉行的國際超大型集成電路技術研討會上，以初步簡報的形勢介紹其目前的芯片技術狀況，并發(fā)布其第二代 3nm 制程技術 SF3（3GAP）。根據官方預告，名為 SF3（3GAP）的三星第二代 3nm 制程技術，將使用第二代 MBCFET 架構，在第一代 3nmGAA(SF3E) 基礎上做進一步的優(yōu)化。性能將比目前的 4nm 制程（SF4）快 22%，能效可提高 34%，芯片尺寸也將縮減 21%。

韓國最有價值公司的此舉可能會刺激兩國芯片行業(yè)之間的更多合作。

這項投資是在韓國總統尹錫烈和日本首相岸田文雄的領導下，韓國和日本重新建立和解關系之后進行的。兩位領導人定于下周在廣島七國集團峰會期間會面。

三星的最大競爭對手臺積電也于 2021 年在日本進行了重大投資，此舉旨在實現公司生產基地的多元化，因為人們擔心芯片生產過度集中在中國臺灣。臺積電還在東京東北部的筑波設有研發(fā)設施。

日本曾經是存儲芯片生產的全球領導者，一直試圖通過吸引外資重建其生產基地。臺積電和美光科技是日本的主要外國投資者，并獲得了日本政府的補貼。

新工廠將專注于所謂的半導體生產后端。在芯片生產中，電路首先在前端過程中在晶圓上創(chuàng)建，然后在后端過程中將晶圓封裝成最終產品。

傳統上，研發(fā)主要集中在生產過程的前端，以實現電路的極端小型化。但許多人認為，進一步微型化是有限度的，重點將轉移到改進后端工藝上，例如將晶圓堆疊成多層，以制造 3D 芯片。

三星顯然認為它需要與日本的材料和設備制造商更緊密地合作，以在生產過程中取得突破。三星近期還合并了位于橫濱和大阪的兩家研發(fā)機構，在日本創(chuàng)建名為 DSRJ 的綜合研發(fā)中心。報道稱新中心位于三星橫濱研究所內。三星在日本以「Samsung Research Japan」的名義，為設備體驗部門 Device eXperience 設立新的綜合研究中心。三星希望通過重組在設備解決方案相關的研發(fā)機構，來增強綜合開發(fā)能力。

三星為何頻頻在日本有動作呢？三星在 2022 年的業(yè)績暴雷之后一直處于低迷狀態(tài)。盡管該公司已經采取了一些措施來應對半導體行業(yè)的不景氣，包括加大對芯片業(yè)務的投資和重組其業(yè)務結構，但仍然需要時間來恢復其過去的增長勢頭。三星電子 4 月 27 日發(fā)布的季度財報顯示，其半導體部門第一季度營業(yè)虧損 4.58 萬億韓元（折合人民幣約 236 億元），而 2022 年同期該業(yè)務有 8.45 萬億韓元的利潤，這也是 2009 年以來首次季度虧損。

此外，美國的限制措施對三星的業(yè)務也造成了一定的影響。尤其是在半導體行業(yè)，三星是一個重要的供應商，這個行業(yè)的供需關系很容易受到各種因素的影響。在美國的限制措施下，三星可能需要尋找其他市場和客戶來彌補損失，這可能會進一步打擊其業(yè)績。三星還面臨著其他的競爭壓力。在智能手機市場，三星面對著蘋果、華為等強大的競爭對手，而在半導體市場，英特爾、AMD 等公司也在加緊布局，試圖奪取市場份額。