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            半導(dǎo)體巨頭押注先進(jìn)封裝!

            作者: 時(shí)間:2023-03-28 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

            2022年12月,三星電子成立了(AVP)部門,負(fù)責(zé)封裝技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā),目標(biāo)是用先進(jìn)的封裝技術(shù)超越的極限。而根據(jù)韓媒BusinessKorea最新報(bào)導(dǎo),三星AVP業(yè)務(wù)副總裁暨團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kang Moon-soo近日指出,三星將藉由AVP業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì),創(chuàng)造現(xiàn)在世界上不存在的產(chǎn)品。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202303/444959.htm

            報(bào)導(dǎo)指出,最先進(jìn)的封裝技術(shù)可藉由水平和垂直的方式,連接多個(gè)異質(zhì)整合技術(shù)的,使更多的電晶體能夠整合到更小的封裝中,這方式提供了超越原有性能的強(qiáng)大功能。

            對此,Kang Moon-soo指出,三星電子是世界上唯一一家從事存儲器、邏輯芯片代工和封裝業(yè)務(wù)的公司。因此,利用這些優(yōu)勢,三星將提供具有競爭力的封裝產(chǎn)品,連接高性能存儲器,例如通過異質(zhì)整合技術(shù),并經(jīng)由EUV制造技術(shù)生產(chǎn)最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體和高頻寬存儲器(HBM)。

            Kang Moon-soo進(jìn)一步強(qiáng)調(diào),三星將專注于開發(fā)基于再分布層(RDL)、硅中介層/橋和硅通孔(TSV)堆疊技術(shù)的下一代2.5D和3D解決方案。

            2021年到2027年,市場有望實(shí)現(xiàn)9.6%的高復(fù)合年增率。其中,采用異質(zhì)整合技術(shù)的2.5D和3D封裝市場預(yù)計(jì)年成長率超過14%,比整個(gè)高科技封裝市場更大。

            需要注意的是,半導(dǎo)體制造商正在開發(fā)一種新的融合封裝技術(shù),以克服現(xiàn)有的技術(shù)限制。從2015年發(fā)布HBM2高頻寬存儲器問世以來,三星電子先后在2018年和2020年實(shí)現(xiàn)了I-Cube(2.5D)及X-Cube(3D)等堆疊封裝技術(shù)的創(chuàng)新。

            三星計(jì)劃,在2024年量產(chǎn)可處理比普通凸塊更多數(shù)據(jù)的X-Cube(u-Bump)封裝技術(shù),并預(yù)計(jì)2026年推出比X-Cube(u-Bump)處理更多數(shù)據(jù)的無凸塊型封裝技術(shù)。



            關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 先進(jìn)封裝

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