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            安森美和Ampt攜手合作,助力光伏電站供應商提高能效

            —— 安森美的EliteSiC系列碳化硅(SiC)技術提升Ampt的直流優(yōu)化器性能
            作者: 時間:2023-01-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            2023年1月6日領先于智能電源和智能感知技術的(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),和世界頭號大型光伏(PV)太陽能和儲能系統(tǒng)直流優(yōu)化器公司 LLC宣布攜手合作,以滿足市場對直流組串優(yōu)化器的高需求。在其直流組串優(yōu)化器中使用了的EliteSiC系列碳化硅(SiC)技術之N溝道SiC MOSFET,用于關鍵的功率開關應用。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202301/442459.htm

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            組串優(yōu)化器用于大規(guī)模,使成本更低、性能更高的太陽能和直流耦合儲能系統(tǒng)被共同部署在太陽能電站內(nèi)。組串優(yōu)化器以高的固定電壓輸送來自光伏陣列的電力,系統(tǒng)電壓范圍在600 VDC1500 VDC,降低了電站的整體電流要求和成本。Ampt優(yōu)化器利用最新的具有極低導通電阻和開關損耗的SiC MOSEFT技術,實現(xiàn)了儲能系統(tǒng)和太陽能電站更高的雙向充放電效率。

             

            Ampt首席執(zhí)行官Levent Gun說:“將安森美EliteSiC技術納入我們的直流優(yōu)化器,有助于大型開發(fā)商提高項目的經(jīng)濟效益。顯然,產(chǎn)品性能是我們的一個關鍵決策點,而安森美提供在設計階段的技術支持及持續(xù)供貨保證,支持Ampt的快速擴展,證明安森美是個強大的合作伙伴。

             

            EliteSiC器件的RDS(on)典型值為80 mΩ,柵極電荷(Qg)值為56 nC,Rg較低,為1.7Ohms。它能夠在175°C的結溫下工作,降低了應用中的熱管理要求,從而實現(xiàn)尺寸更小、成本更低的方案。

             

            安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說:我們的EliteSiC技術把高性能和高可靠性相結合,能夠?qū)崿F(xiàn)高效、可靠的直流優(yōu)化器,這也是Ampt這樣的行業(yè)領導者所期望的。我們期待持續(xù)合作開發(fā)新產(chǎn)品,推進可再生能源應用向前發(fā)展,打造一個可持續(xù)的生態(tài)系統(tǒng)。




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