日本電產(chǎn)理德株式會社推出了全自動在線半導(dǎo)體檢測裝置“NATS-1000”，用于汽車級IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor :絕緣柵雙極晶體管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模塊的功能測試。

1.  開發(fā)的背景及特征

近年來，對車用功率器件（半導(dǎo)體元件）的需求迅速增長。日本電產(chǎn)理德的“NATS-1000”最初是在母公司日本電產(chǎn)株式會社（以下簡稱“日本電產(chǎn)”）的集團(tuán)公司進(jìn)行自制化，從重視可追溯性的汽車廠商的角度出發(fā)，為了優(yōu)化成本、品質(zhì)和檢測速度而開發(fā)的產(chǎn)品。該裝置目前被用于以驅(qū)動電機(jī)系統(tǒng)“E-Axle”為代表的、日本電產(chǎn)的半導(dǎo)體檢測，為集團(tuán)公司的產(chǎn)品生產(chǎn)提供支持?！癗ATS-1000”在全球同類檢測裝置中具有高速級的檢測速度，具有車用模塊高低溫溫度試驗(yàn)及在線檢測所需的高速檢測速度。

由于汽車免不了要在炎熱的惡劣環(huán)境中使用，因此在高溫環(huán)境下進(jìn)行檢測也是對于車用IGBT/SiC模塊的一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，溫度控制、溫度管理是必須具備的重要功能?！癗ATS-1000”配備了可在150℃～175℃的高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)靜態(tài)特性和動態(tài)特性試驗(yàn)的升溫槽和常溫冷卻槽，可根據(jù)不同模塊型號的熱容量維持檢測速度。

“NATS-1000”將每次檢測分為室溫絕緣、高溫靜態(tài)、高溫動態(tài)和室溫靜態(tài)這四種狀態(tài)，通過分散檢測及并行檢測，確保檢測的高速性，從而有助于提高生產(chǎn)率。此外，經(jīng)換算，每臺檢測裝置每年可供80萬臺6in1*1IGBT 模塊檢測使用，具有出色的性價(jià)比，還可靈活應(yīng)對因汽車行業(yè)對功率半導(dǎo)體的需求增加而不斷擴(kuò)大的檢測能力。

2.  今后的計(jì)劃

目前，該檢測裝置主要支持汽車級6in1^*1IGBT的形狀，今后將根據(jù)EV定制化、多品種的要求，不斷擴(kuò)充可在短時(shí)間內(nèi)對應(yīng)機(jī)型變更的套件。由此，在汽車級產(chǎn)品中，能更加靈活地支持SiC-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）等小型模塊。由此，使該檢測裝置可支持如電機(jī)、EV用變頻器、高速電動車充電器、空調(diào)以及不間斷電源（UPS）等更多的應(yīng)用，通過有效利用裝置來滿足降低成本的需求。

未來，日本電產(chǎn)集團(tuán)將通過各種關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的自制化，不斷提供創(chuàng)新型解決方案，通過電機(jī)產(chǎn)品的節(jié)能化抑制電力消費(fèi)，從而為減輕地球環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。

*1　6 in 1:IGBT 和 FWD(Free Wheel Diode) 各內(nèi)置6個