基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的R_DS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。

多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來，針對(duì)電池隔離(BMS)、直流電機(jī)控制、以太網(wǎng)供電（POE）和汽車安全氣囊等應(yīng)用的產(chǎn)品優(yōu)化升級(jí)不斷取得成功。

浪涌電流給熱插拔應(yīng)用帶來了可靠性挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，增強(qiáng)型SOA MOSFET領(lǐng)域的前沿企業(yè)Nexperia專門針對(duì)此類應(yīng)用進(jìn)行了全面升級(jí)，設(shè)計(jì)了適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，并增強(qiáng)了SOA性能。與之前的技術(shù)相比，PSMNR67-30YLE ASFET的SOA(12V @100mS)性能提高到了2.2倍，同時(shí)R_DS(on)（最大值）低至0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了Spirito效應(yīng)（表示為SOA曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線），還同時(shí)保持了整個(gè)電壓和溫度范圍內(nèi)的出色性能。

Nexperia通過在125°C下對(duì)新款器件進(jìn)行完全表征，并提供高溫下的SOA數(shù)據(jù)曲線，消除了熱降額設(shè)計(jì)的必要性，從而為設(shè)計(jì)人員提供進(jìn)一步支持。

8款新產(chǎn)品（3款25V和5款30V）現(xiàn)已可選擇LFPAK56或LFPAK56E封裝，其中R_DS(on)范圍為0.7m?到2m?，可適用于大多數(shù)熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用。其他2款25V產(chǎn)品的R_DS(on)更低，僅為0.5m?，預(yù)計(jì)將于未來幾個(gè)月內(nèi)發(fā)布。