在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            新聞中心

            EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效

            全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效

            作者: 時(shí)間:2022-11-15 來(lái)源:Toshiba 收藏

            SiC 模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體器件,在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅(Si)IGBT和器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中,SiC 模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202211/440408.htm


            東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品,其最大亮點(diǎn)是全SiC MOSFET模塊,不同于只用SiC SBD(肖特基二極管)替換Si FRD(快速恢復(fù)二極管)的SiC混合模塊,這兩款產(chǎn)品完全由SiC二極管和SiC MOSFET構(gòu)成。全SiC功率模塊不僅具有高速開關(guān)特性,同時(shí)可大幅降低損耗,是更小、更高效的工業(yè)設(shè)備的理想選擇。


            模塊的功能特性分析


            東芝的兩款SiC MOSFET模塊中,MG600Q2YMS3的額定電壓為1200V,額定漏極電流為600A;另一款MG400V2YMS3的額定電壓為1700V,額定漏極電流為400A。這兩款器件擴(kuò)充了東芝現(xiàn)有產(chǎn)品線,加上東芝以前發(fā)布的3300V雙通道SiC MOSFET模塊MG800FXF2YMS3,全系列將覆蓋了1200V、1700V和3300V應(yīng)用。


            兩款SiC MOSFET模塊與Si IGBT模塊安裝方式兼容,損耗卻低于Si IGBT模塊,還內(nèi)置了NTC熱敏電阻,用作溫度傳感器,以便精確測(cè)量模塊內(nèi)部芯片的溫度。


            從MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3的功能特性來(lái)看,兩款產(chǎn)品是同類型的大功率碳化硅N溝道MOSFET模塊,均具備低損耗和高速開關(guān)能力,只是在漏源極電壓(VDSS)和漏極電流(ID)方面做了差分,以滿足不同客戶的應(yīng)用需要,至于其他方面的差異并不是很大。


            模塊的主要特性


            MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3全SiC MOSFET模塊的相同特性如下:


            ●   低雜散電感,低熱阻, Tch最大值=150℃

            ●   增強(qiáng)型MOS

            ●   電極與外殼隔離


            兩款模塊的其他主要特性如下:(滑動(dòng)查看更多)


            MG400V2YMS3


            1. VDSS=1200V

            2. VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25℃

            3. Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150℃


            MG600Q2YMS3


            1. VDSS=1200V

            2. VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25℃

            3. Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150℃


            1667823773391365.png


            以下是MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3的主要規(guī)格:(除非另有規(guī)定,@Tc=25℃)


            1667823760529415.png


            SiC MOSFET模塊的優(yōu)勢(shì)


            與IGBT模塊相比,SiC MOSFET模塊的低損耗特性可以降低包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗在內(nèi)的總損耗。高速開關(guān)和低損耗操作還有助于減小濾波器、變壓器和散熱器的尺寸,實(shí)現(xiàn)緊湊、輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此外,SiC MOSFET模塊的高耐熱性和低電感封裝,以及寬柵極-源極電壓和高柵極閾值電壓,可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)可靠性。


            產(chǎn)品應(yīng)用方向


            環(huán)境和能源問題是一個(gè)亟待解決的全球性問題。隨著電力需求持續(xù)升高,對(duì)節(jié)能的呼聲越來(lái)越高,對(duì)高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也在迅速增加。全新碳化硅材料的功率MOSFET具有耐高壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻等方面的優(yōu)勢(shì),除大幅降低功率損耗外,還可以縮小產(chǎn)品尺寸。


            東芝MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3適用于大功率應(yīng)用領(lǐng)域,包括大功率開關(guān)電源、電機(jī)控制器,包括軌道牽引應(yīng)用。其具體應(yīng)用涵蓋軌道車輛用逆變器和變流器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、電機(jī)控制設(shè)備和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器。目前東芝的兩款模塊均已大量投放市場(chǎng),并在各種應(yīng)用中發(fā)揮節(jié)能減排的作用。


            來(lái)源:



            關(guān)鍵詞: Toshiba MOSFET

            評(píng)論


            相關(guān)推薦

            技術(shù)專區(qū)

            關(guān)閉