今年七月，澳大利亞科學家領導的一個國際團隊研制出首款自校準光子芯片，其能“變身”數(shù)據(jù)高速公路上的橋梁，改變當前光學芯片之間的連接狀況，提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣?，有望促進人工智能和自動駕駛汽車等領域的發(fā)展。最新研究發(fā)表于《自然·光子學》雜志。

光子芯片是什么？它與普通芯片區(qū)別在哪？有哪些優(yōu)勢和技術難點？在哪些領域會得到怎樣的應用？本文將針對上述問題一一進行解答。

光子芯片應運而生

1959年，美國著名半導體廠商仙童公司（Fairchild Semiconductor）首先推出了平面型晶體管，緊接著于1961年又推出了平面型集成電路。這種平面型制造工藝是在研磨得很平的硅片上，采用 “光刻”技術來形成半導體電路的元器件，如二極管、三極管、電阻和電容等。只要“光刻”的精度不斷提高，元器件的密度也會相應提高，從而具有極大的發(fā)展?jié)摿ΑＲ虼似矫婀に嚤徽J為是“整個半導體的工業(yè)鍵”，也是摩爾定律問世的技術基礎。

1965年，英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出摩爾定律。其內(nèi)容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

過去的半個多世紀，半導體行業(yè)一直遵循著摩爾定律（Moore's law）的軌跡高速的發(fā)展，如今半導體制程節(jié)點已經(jīng)來到了3nm，借助于EUV光刻等先進技術，正在向2nm甚至更小的節(jié)點演進，每進步1nm都需要付出巨大的努力，單純靠提升工藝來提升芯片性能的方法已經(jīng)無法充分滿足時代的需求，主要體現(xiàn)在：

一、以電子為載體的技術發(fā)展已趨近物理極限。當下集成電路是以硅為基礎材料的，硅原子的直徑約為0.22納米，當制程降至7納米以下時，極易出現(xiàn)電涌和電子擊穿問題，也就是已經(jīng)很難完美地對電子進行控制。雖然代表全球最頂尖水平的臺積電仍然在不斷地進行3納米及2納米的技術研發(fā)及產(chǎn)能投資，但業(yè)內(nèi)人士普遍認為集成電路的尺寸微縮最多到2030年就會達到物理極限，亟需尋找創(chuàng)新發(fā)展的出路；

二、電子芯片尺寸降到極致時會出現(xiàn)“功耗墻”難題。比如，巨大的耗能壓力就是計算機發(fā)展的最大技術障礙之一。雖然國內(nèi)外學術界和工業(yè)界進行了大量努力，但由于CMOS（互補金屬氧化物半導體）半導體功耗密度已接近極限，所以必須尋找新途徑、新結(jié)構(gòu)、新材料；

三、過去幾十年中處理器的性能以每年約55%的速度提升，而內(nèi)存性能的提升速度約為每年10%，長期累積下來，不平衡的發(fā)展速度造成了當前內(nèi)存的存取速度嚴重滯后于處理器的計算速度，訪存瓶頸導致高性能處理器難以發(fā)揮出應有的功效；

四、電子芯片性能提升的同時，性價比在降低。業(yè)界普遍認為，28納米是芯片性價比最高的尺寸。根據(jù)SEMI國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的芯片主流設計成本模型圖，采用FinFET（FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管）工藝，的5納米芯片設計成本已是28納米工藝設計成本的近8倍，更復雜的GAA（Gate-all-around，環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的設計成本只會更高，這僅是芯片設計、制造、封裝、測試中的設計環(huán)節(jié)。制造環(huán)節(jié)的晶圓代工廠的研發(fā)、建廠、購買生產(chǎn)設備耗費的資金會更多，比如三星在美國得克薩斯州計劃新建的5納米晶圓廠預計投資高達170億美元。

半導體行業(yè)逐步進入了后摩爾時代，高算力和低功耗的光子芯片應運而生。

光子芯片和電子芯片

電子芯片通常指的是傳統(tǒng)芯片，即內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他設備的一部分。它是電子設備中最重要的部分，承擔著完成運算，處理任務和控制存儲的功能。電腦、手機、電視和各種智能電子產(chǎn)品都都離不開芯片。

光子芯片采用的是光波來作為信息傳輸或數(shù)據(jù)運算的載體，指的是依托于集成光學或硅基光電子學中介質(zhì)光波導（引導光波在其中傳播的介質(zhì)裝置）來傳輸導模（導模是指光波限制在圓筒內(nèi)（光纖）向前傳播）光信號，將光信號和電信號的調(diào)制、傳輸、解調(diào)等集成在同一塊襯底或芯片上的技術。

電子芯片采用電流信號來作為信息的載體，而光子芯片則采用頻率更高的光波來作為信息載體。相比于電子集成電路或電互聯(lián)技術，光子集成電路與光互連展現(xiàn)出了更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲、以及更強的抗電磁干擾能力。此外，光互聯(lián)還可以通過使用更多方式來提高傳輸媒質(zhì)內(nèi)的通信容量。

從國家戰(zhàn)略安全和戰(zhàn)略需求的角度，光子芯片可以解決很多在數(shù)據(jù)處理時間長、無法實時處理、功耗高等應用領域的關鍵問題。例如，在遠距離、高速運動目標的測距、測速和高分辨成像激光雷達中，在生物醫(yī)藥、納米器件等的內(nèi)部結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高分辨無損檢測的新型計算顯微關聯(lián)成像裝備中，光子芯片均可以發(fā)揮其高速并行、低功耗、微型化的優(yōu)勢。

此外，AI光子芯片是一種光計算架構(gòu)與人工智能算法高度匹配的芯片設計，有潛力廣泛應用于自動駕駛、安防監(jiān)控、語音識別、圖像識別、醫(yī)療診斷、游戲、虛擬現(xiàn)實、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、企業(yè)級服務器和數(shù)據(jù)中心等關鍵人工智能領域。

類腦光子芯片可以模擬人腦的計算，通過光子攜帶信息在模擬大腦的神經(jīng)網(wǎng)絡構(gòu)架下處理數(shù)據(jù)，使芯片達到像人腦一樣高速并行且低功耗的計算。以微納光子集成為基礎的光子芯片結(jié)合基于光學計算的神經(jīng)網(wǎng)絡數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)是應對未來低功耗、高速度、寬帶寬、大數(shù)據(jù)量信息處理能力的關鍵。

挑戰(zhàn)

光子芯片是基于硅片的激光技術，它將磷化銦的發(fā)光屬性和硅的光路由能力整合到單一混合芯片中，當給磷化銦施加電壓的時候，光進入硅片的波導，產(chǎn)生持續(xù)的激光束，這種激光束可驅(qū)動其他的硅光子器件。盡管硅光子學有很大的前景，但是該技術也面臨很多挑戰(zhàn)：

1、由于硅具有非直接帶隙，因此發(fā)光效率很低。基于硅的激光器或放大器不能與其它基于GaAs（砷化鎵）或者InP（磷化銦）的激光器或放大器相媲美；

2、硅的帶隙也較大，無法探測波長接近1300nm、1500nm波長的光；

3、硅具有二階非線性（二階非線性光學效應是非線性光學晶體材料的關鍵性能），因此無法制作電光調(diào)制器；

4、芯片上的激光光源很難進行散熱；

5、光學連接器精度要求較高，難以在量產(chǎn)中實現(xiàn)。

最新研究進展

文章開頭提到的自校準光子芯片，通過快速可靠重編程技術加快了搜索速度，而搜索速度是醫(yī)療診斷、自動駕駛車輛、互聯(lián)網(wǎng)安全等許多應用的重要屬性。

這項研究的一個關鍵挑戰(zhàn)是將所有光學功能集成到一個可“插入”現(xiàn)有基礎設施的設備上。研究團隊提出的解決方案是：在芯片制造后對其進行校準，也就是使用集成參考路徑而非外部設備對芯片進行校準，這提供了“撥號”所需的所有設置和開關功能。

莫納什大學阿瑟·洛厄里教授表示，該自校準可編程的光子濾波器芯片，使可調(diào)諧光子集成電路廣泛應用于多個領域，如根據(jù)顏色調(diào)換信號的光通信系統(tǒng)、運行速度極快的相關器（相關接收器，即利用信號的相關特性將有用信號從干擾和噪聲中提取出來的工具）、用于化學或生物分析甚至天文學領域的科學儀器等。