10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調(diào)試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。

據(jù)了解，2017年12月18日，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司于在中國廈門共同簽署了《關(guān)于化合物半導體項目之投資合作協(xié)議》。雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設一條4/6吋兼容的化合物半導體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，雙方在廈門市海滄區(qū)共同投資設立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（以下簡稱“士蘭明鎵”）。

截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能，其產(chǎn)品在小間距顯示、miniLED顯示屏、紅外光耦、安防監(jiān)控、車用LED等領(lǐng)域得到廣泛應用。

士蘭明鎵已于2022年7月正式啟動化合物半導體第二期建設項目，即“SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目”。本項目計劃投資15億元，建設一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。