自20世紀60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。

背景知識

TTL逆變器的原理圖如圖1所示。此電路克服了單晶體管逆變器電路的局限性。基本TTL逆變器由三級組成：電流導引輸入、分相級和輸出驅動級。

圖1. TTL逆變器

輸入級晶體管Q1執(zhí)行電流導引功能，可以將它視為背靠背二極管布置。晶體管以正向或反向模式工作，使電流流入或流出第二級晶體管的基極Q2。正向電流增益?F遠大于反向電流增益?R。關斷時，它提供更高的放電電流來給基極放電。

圖2. 輸入電流導引級的等效電路

圖1中的第二級晶體管Q2使用分相器來驅動上拉和下拉輸出級的兩半。它允許以相反相位產(chǎn)生輸入條件，從而可以反相驅動輸出晶體管。這樣，Q4關斷時Q3可以導通，反之亦然，如圖3所示。

圖3. 分相級

輸出晶體管對Q3和Q4與二極管D1一起被稱為圖騰柱輸出，如圖4所示。這種輸出配置提供了主動拉電流或灌電流的能力，對于驅動容性負載很有用。電阻R4用于限制VCC提供的電流。在穩(wěn)態(tài)條件下，一次只有一個晶體管導通。

圖4. 輸出級

二極管D1用于提高Q4的有效導通電壓，使其能夠在Q3完全導通之前關斷。這有助于防止邏輯狀態(tài)轉換期間潛在的大浪涌電流流入輸出級。電阻R4還用于限制輸出級中允許流動的電流。缺點是邏輯高電平會降低，降幅為二極管壓降，如圖11所示。

材料

●   ADALM2000 主動學習模塊

●   無焊試驗板

●   跳線

●   一個100 kΩ電阻

●   一個2.2 kΩ電阻

●   一個470 Ω電阻

●   一個100 Ω電阻

●   一個小信號二極管(1N914)

●   五個小信號NPN晶體管（2N3904和/或SSM2212）

TTL逆變器

說明

ADALP2000 模擬部件套件隨附五個2N3904 NPN晶體管。較舊的套件可能包含一對匹配的SSM2212。所示的建議試驗板布局是針對SSM2212連接。如果只使用2N3904器件，請根據(jù)需要更改布局。

在無焊試驗板上構建圖5所示TTL逆變器電路。如果使用SSM2212 NPN對，它只能替代Q3和Q4（輸出級），因為其基極和發(fā)射極端子上有內(nèi)部保護二極管用以防止反向偏置。

圖5. TTL逆變器

硬件設置

將電路連接到ADALM2000輸入/輸出連接器，如圖5所示。對于未使用的示波器負輸入，在不使用時最好將其接地。

試驗板連接如圖6所示。

圖6. TTL逆變器試驗板電路

程序步驟

將波形發(fā)生器W1配置為具有0 V偏移和6 V幅度峰峰值的100 Hz三角波。在x-y模式下使用示波器觀察電路的電壓傳輸曲線。

圖7. TTL逆變器傳輸曲線

TTL NAND門

說明

給TTL逆變器再增加一個輸入，便得到一個TTL NAND門。按照圖8所示連接TTL逆變器電路。

圖8. TTL 2輸入NAND門

硬件設置

將電路連接到ADALM2000 I/O連接器，如圖8所示。對于未使用的示波器負輸入，在不使用時最好將其接地。

試驗板連接如圖9所示。

圖9. TTL 2輸入NAND門試驗板電路

程序步驟

將波形發(fā)生器W1配置為具有0 V偏移和6 V幅度峰峰值的100 Hz三角波，將W2配置為具有0 V偏移、6 V幅度峰峰值和90°相位的100 Hz三角波。

使用示波器觀察電路的輸出Ch2。

圖10. TTL NAND門輸出波形

測量

傳輸特性

通過施加緩慢上升的輸入電壓，并確定相對于每個晶體管的導通狀態(tài)變化而發(fā)生的事件序列以及這些變化發(fā)生的臨界點，可以推導出TTL逆變器的傳輸特性。考慮圖11所示的電路輸入與輸出傳輸特性曲線。

圖11. TTL逆變器輸入與輸出傳輸曲線

斷點P1

當輸入接近0 V且基極電流提供給Q1時，該晶體管可以在正向模式下導通。集電極電流的唯一來源是Q2的漏電流，因此Q1將被驅動到飽和狀態(tài)。這確保了Q2關斷，進而又意味著Q3關斷。在沒有負載的情況下，輸出級中有漏電流流動，這使得晶體管Q4和二極管D1在導通狀態(tài)下幾乎不傳導電流。

斷點P2

隨著輸入電壓略微增加，上述狀態(tài)一直持續(xù)，直到（在Q1導通并處于飽和狀態(tài)的情況下）Q2基極的電壓上升至導通點。則

斷點P3

隨著輸入電壓進一步增加，Q2傳導更多電流，從而完全導通。Q2的基極電流由Q1的基極-集電極結（現(xiàn)在是正向偏置）提供，Q1仍處于飽和狀態(tài)。最終，Q3達到導通點。這發(fā)生在：

請注意，當晶體管Q3剛剛導通時，VBE3 = 0.6 V，這意味著流過R3的電流為0.6 V/470 Ω = 1.27 mA。在線性活動區(qū)工作時，Q2的集電極電流為0.97 mA × 1.27 mA = 1.23 mA。

R2兩端的電壓降即為VR2 = 1.23 mA × 2.2 kΩ = 2.7 V。

在這種情況下，Q2上的集電極到發(fā)射極電壓降為：

這證實了Q2仍在正向活動模式下運行。

隨著Q3開始導通，電流通過Q4和二極管D1的傳導路徑，隨后完全導通。這種情況下：

斷點P4

隨著輸入電壓進一步增加，Q2傳導更多電流，最終進入飽和模式。Q3也傳導更多電流，最終達到飽和點。當Q2傳導更多電流時，其集電極電流增加。這導致R1兩端的壓降增加，意味著Q2上的電壓（即VCE2）下降。當此電壓降至Q4和二極管D1導通所要求的電壓以下時，二者均關斷，然后Q3飽和。

當Q3達到飽和邊緣時：

問題：

1. 典型TTL邏輯門的輸出電路通常被稱為圖騰柱輸出，原因是其兩個輸出晶體管相互堆疊，就像圖騰柱上的雕像一樣。具有圖騰柱輸出級的門電路能否提供負載電流、吸收負載電流或既能提供又能吸收負載電流？

您可以在 學子專區(qū) 論壇上找到答案。

來源：ADI

作者：Antoniu Miclaus 和 Doug Mercer