市調(diào)機構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導(dǎo)致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。

標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來看，第四季價跌預(yù)測皆是13％～18％。

隨著DDR5的滲透率持續(xù)升高，加上單價較高的特性，第四季DDR5于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM領(lǐng)域的滲透率將提升至13％～15％，使得整體標(biāo)準(zhǔn)型DRAM平均單價略有提升，預(yù)估第四季價格季跌約10％～15％。

服務(wù)器DRAM方面，由于新平臺遞延導(dǎo)致服務(wù)器終端降低采購，并預(yù)期第四季伺服整機出貨下滑，加上客戶端庫存約9～12周屬偏高水位，在OEM廠及中國云端服務(wù)供貨商減緩拉貨力道，原廠轉(zhuǎn)以著重北美云端服務(wù)供貨商議價和量，但產(chǎn)出仍無法有效去化，使原廠庫存壓力持續(xù)攀升。

集邦預(yù)期，服務(wù)器DDR5第四季將正式轉(zhuǎn)為量產(chǎn)狀態(tài)，相較前一季的樣品價會下跌25％～30％，但量產(chǎn)初期滲透率僅約5％，故對整體服務(wù)器DRAM均價影響有限，預(yù)估第四季價格跌幅約13％～18％。

在消費性及利基型DRAM方面，雖網(wǎng)通端受惠于短料緩解，以及歐美地區(qū)的基礎(chǔ)建設(shè)升級，出貨量較為穩(wěn)定，但難以弭平來自其他終端產(chǎn)品的需求下滑，且正值價格下行周期，客戶皆將庫存保持在健康水位，并未積極備貨，預(yù)期第四季需求仍疲弱。

受到全年智能型手機生產(chǎn)量下修波及，CMOS影像傳感器（CIS）需求亦同步下滑，韓廠因此放緩DDR3及DDR4舊制程轉(zhuǎn)進CIS的步伐，導(dǎo)致位產(chǎn)出持續(xù)放量，庫存壓力難以削減。由于供過于求情形未緩解，第四季消費性及利基型DRAM價格跌幅為10％～15％。

2022年第三季及第四季DRAM合約價格走勢變化