GAAFET晶體管技術(shù)為何更先進(jìn)？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的靜電特性，在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA 的溝道控制能力強(qiáng)化，尺寸可以進(jìn)一步微縮，同時(shí)電壓降低。

這就使得GAAFET晶體管，可以密度更高，同時(shí)電壓更低，這樣性能更強(qiáng)，功耗降低。

雖然目前在3nm技術(shù)上，三星使用GAAFET技術(shù)，而臺(tái)積電使用FinFET技術(shù)，但到2nm時(shí)，不管是臺(tái)積電，還是三星，或者intel都會(huì)使用GAAFET技術(shù)，因?yàn)镕inFET技術(shù)，已經(jīng)無(wú)法再微縮，實(shí)現(xiàn)不了2nm。

可以說(shuō)，只要卡住GAAFET晶體管技術(shù)，就相當(dāng)于卡住了2nm芯片技術(shù)。

而近日，外媒Protocol報(bào)道，美國(guó)準(zhǔn)備對(duì)用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體的特定類(lèi)型EDA軟件實(shí)施新的出口限制。

按照?qǐng)?bào)道，美國(guó)計(jì)劃將使用于“Gate-all-around”（環(huán)繞柵極，GAA）新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件，列入禁止出口的清單中，不準(zhǔn)賣(mài)到中國(guó)大陸來(lái)。

以往美國(guó)在芯片制造上，主要針對(duì)的是制造業(yè)，即不允許賣(mài)先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備到中國(guó)大陸來(lái)，比如EUV光刻機(jī)等。

現(xiàn)在要禁止EDA工具，則意味著不僅是針對(duì)晶圓制造企業(yè)，針對(duì)的還有芯片設(shè)計(jì)企業(yè)了，因?yàn)闆](méi)有EDA工具，在現(xiàn)在這樣的情況下，再牛的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，也設(shè)計(jì)不出芯片來(lái)。

而目前EDA基本上是被Synopsys、Cadence和西門(mén)子EDA這三家巨頭壟斷的，特別是先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具。

而國(guó)產(chǎn)EDA，一方面是支持的工藝不夠先進(jìn)，二是流程不夠齊全，所以在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，這三大巨頭也占了90%市場(chǎng)。

一旦用于GAAFET芯片技術(shù)的EDA被禁，那意味著不僅國(guó)內(nèi)的晶圓制造進(jìn)入不了2nm，連設(shè)計(jì)都卡住了，除非國(guó)產(chǎn)EDA跟上來(lái)，能夠支持GAAFET技術(shù)。