·       意法半導(dǎo)體是法國微電子研發(fā)和第一工業(yè)部署五年戰(zhàn)略計劃的主要牽頭企業(yè)之一

·       “電子2030”計劃將有效促進二十個成員國參與的“歐洲共同利益重點項目之微電子與通信技術(shù)(IPCEI ME/CT)”

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，日前，法國“電子 2030”計劃（Electronique 2030）啟動儀式在法國Grenoble附近的意法半導(dǎo)體Crolles研發(fā)制造一體化工廠舉辦。

法國總統(tǒng)埃馬紐埃爾·馬克龍（Emmanuel Macron）出席了本次啟動儀式。其他列席嘉賓有：法國經(jīng)濟、財政、工業(yè)和數(shù)字主權(quán)部長布魯諾·勒梅爾（Bruno Le Maire）；高等教育和研究部長茜爾薇·勒達尤（Sylvie Retailleau）；民主振興部部長級代表兼政府發(fā)言人奧利維埃·維朗（Olivier Veran）；外貿(mào)、經(jīng)濟吸引力與法國海外僑民部部長級代表奧利維埃·貝希（Olivier Becht）；歐盟委員會內(nèi)部市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton），以及來自法國中央、地區(qū)和地方的政府代表。出席本次活動的還有格芯（GlobalFoundries）、CEA-Leti研究所和Soitec等來自半導(dǎo)體和電子行業(yè)的意法半導(dǎo)體合作伙伴。

“電子2030”計劃是2021年10月公布的“法國2030”投資計劃中的一部分，旨在保持法國電子工業(yè)的領(lǐng)先地位，應(yīng)對從上游研究到下游應(yīng)用、以及整個產(chǎn)業(yè)鏈當前和未來面臨的挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體產(chǎn)品對于很多工業(yè)乃至整個經(jīng)濟而言都具有戰(zhàn)略意義，可以為歐盟綠色新政下的低碳經(jīng)濟轉(zhuǎn)型目標提供直接支撐，為智能出行和物聯(lián)網(wǎng)提供高能效的技術(shù)、芯片和解決方案。

在歐盟層面，經(jīng)歐盟委員會協(xié)調(diào)，20個歐盟成員國決定，在首個IPCEI項目暨“歐洲共同利益重點項目之微電子(IPCEI ME)”已取得成功的基礎(chǔ)上，啟動新一個新的項目——“歐洲共同利益重點項目之微電子和通信技術(shù)(IPCEI ME/CT)”。該新IPCEI項目吸引了100多家企業(yè)參與，目標是建立完整的半導(dǎo)體價值鏈，不僅支持研發(fā)創(chuàng)新(RDI)，還支持第一工業(yè)部署(FID)。IPCEI ME/CT項目分為4個工作小組：SENSE（數(shù)字感知）、THINK（嵌入式處理）、ACT（功率電子）和COMMUNICATE（通信器件）。

法國總統(tǒng)埃馬紐埃爾·馬克龍宣布，在2022年到2026年間，為意法半導(dǎo)體和另外14家參與IPCEI ME/CT項目的主要法國企業(yè)提供財政支持。該財政支持將直接用于意法半導(dǎo)體在該項目中參與的四個小組工作，主要在意法半導(dǎo)體的研發(fā)和制造工廠開展，特別是法國的Crolles、Grenoble、Rennes、Rousset和Tours這五家工廠。具體來說，包括高性能低功耗MCU及相關(guān)技術(shù)研發(fā)，新嵌入式相變閃存FD-SOI技術(shù)、采用創(chuàng)新嵌入式閃存CMOS技術(shù)架構(gòu)的邊緣人工智能、采用硅基氮化鎵的創(chuàng)新功率電子技術(shù)、采用先進3D集成技術(shù)的智能光學(xué)傳感器、嵌入式人工智能、射頻技術(shù)，以及5G、6G芯片等。

為IPCEI ME/CT項目提供資金仍需等待歐盟委員會批準。