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      EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于ST主動(dòng)鉗位反馳式控制器:ST-ONE與MasterGaN2的65W高效能數(shù)位智能充電器方案

      基于ST主動(dòng)鉗位反馳式控制器:ST-ONE與MasterGaN2的65W高效能數(shù)位智能充電器方案

      作者:DY 時(shí)間:2022-06-08 來(lái)源:大大通 收藏

      -ONE 簡(jiǎn)介

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202206/434938.htm

      -ONE 是一款具有二次側(cè)數(shù)位控制的離線數(shù)位控制器,專(zhuān)門(mén)用于采用包括 USB-PD 在內(nèi)的智慧充電解決方案的反馳式轉(zhuǎn)換器,獨(dú)特的完整 SiP(System in Package)、高壓能力、跨電流隔離的數(shù)字電源控制,可實(shí)現(xiàn)極高的性能和功率密度,允許接口協(xié)議、電源控制算法和故障系統(tǒng)管理的演進(jìn)和定制。

      該器件在初級(jí)側(cè)包括一個(gè)反激式控制器及其啟動(dòng),在次級(jí)側(cè)包括一個(gè)微控制器以及控制轉(zhuǎn)換和通信所需的所有周邊設(shè)備。兩側(cè)通過(guò)嵌入式電氣隔離通信通道連接,出廠時(shí)已載入固件,該固件可處理 USB-PD 的電源轉(zhuǎn)換和通信協(xié)議,包括可選的 PPS 和電子標(biāo)記的電纜管理、SCP、FCP 和 QC 3.0 HVDCP B 類(lèi) 通過(guò)使用非互補(bǔ)反馳式和專(zhuān)用電源該器件允許實(shí)現(xiàn)高效率和低空載功耗的模式及專(zhuān)用記憶體在出廠過(guò)程中存儲(chǔ)預(yù)設(shè)設(shè)備配置,使用者可以更改或調(diào)整此存儲(chǔ)區(qū)以適應(yīng)最終產(chǎn)品規(guī)格。

      簡(jiǎn)介

      另包含MAERGAN2 是一種先進(jìn)的電源系統(tǒng)級(jí)封裝,在不對(duì)稱(chēng)的半橋配置中集成了一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式 GaN 功率晶體管。集成的 GaN 功率晶體管具有 600 V 的漏源擊穿電壓和 150 mΩ 和 225 mΩ 的低側(cè)和高側(cè) RDS(ON),而嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)可以很容易地由集成自舉二極管來(lái)驅(qū)動(dòng)。

      MASTERGAN2 在下部和上部驅(qū)動(dòng)部分均具有 UVLO 保護(hù)功能,可防止電源開(kāi)關(guān)在低效率或危險(xiǎn)條件下工作,聯(lián)鎖功能可避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)情況。輸入引腳的擴(kuò)展范圍允許與微控制器、DSP 單元或霍爾效應(yīng)傳感器輕松連接。MASTERGAN2 可在 -40°C 至 125°C 的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。 該器件采用緊湊的 9x9 mm QFN 封裝。

      場(chǎng)景應(yīng)用圖

      產(chǎn)品實(shí)體圖

      展示版照片

      方案方塊圖

      Schematic

      Block diagram

      Block Diagram

      Efficiency at 115Vac

      Efficiency at 230Vac

      核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      ● 零件數(shù)量少,多合一平臺(tái)

      ● 具有的主動(dòng)箝位二次側(cè)數(shù)字控制

      ● 高達(dá) 1 Mhz 的高頻操作(用于 GaN 的擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)器)

      ● 高功率密度~30w/inch3

      ● 嵌入式 USB-PD 3、QC3 … 管理

      ● 嵌入式物理層

      ● 固件升級(jí)靈活性

      ● 用于空載消耗的 HV 啟動(dòng)和 X-Cap 放電

      ● Brown-in/out 功能

      ● 優(yōu)化同步整流數(shù)字控制

      ● 完整的安全操作保護(hù)

      ● 靈活性、可編程性和通信功能

      ● 數(shù)字電源嵌入式閃存固件可編程

      ● 嵌入式 6.4 kV 電流隔離

      ● 集成半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和高壓的 600 V 系統(tǒng)級(jí)封裝

      ● 不對(duì)稱(chēng)配置的 GaN 功率晶體管:

         – QFN 9 x 9 x 1 毫米封裝

         – RDS(ON) = 150 mΩ (LS) + 225 mΩ (HS)

         – IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6.5 A (HS)

      ● 反向電流能力

      ● 零反向恢復(fù)損耗

      ● 低端和高端UVLO 保護(hù)

      ● 內(nèi)部自舉二極管

      ● 聯(lián)鎖功能

      ● 關(guān)斷功能專(zhuān)用引腳

      ● 精確的內(nèi)部時(shí)序匹配

      ● 3.3 V 至 15 V 兼容輸入,具有遲滯和下拉功能

      ● 過(guò)熱保護(hù)

      ● 減少物料清單

      ● 非常緊湊和簡(jiǎn)化的布局

      ● 靈活、簡(jiǎn)單、快速的設(shè)計(jì)。

      方案規(guī)格

      ● 輸入電壓:通用交流電,范圍為90 VAC至264 VAC,頻率為47 Hz至63 Hz

      ● 輸出電壓:?jiǎn)蜟型輸出5 VDC-20 VDC

      ● 輸出功率:20V 3.25A 最大65W

      ● 外形尺寸:54毫米(長(zhǎng))*31毫米(寬)*25毫米(高)

      ● 效率:滿足 CoC Tier 2 和 DoE Level 6 級(jí)效率要求

      ● ACF 初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的數(shù)位控制

      ● 集成的GaN IC MasterGaN2使其具有密度極高的PCB布局和減少物料清單

      ● 符合電磁相容標(biāo)準(zhǔn):CISPR32B / EN55032B

      ● 支援 USB-PD、PPS、SCP、FCP 和 QC 協(xié)議



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