現(xiàn)在，許多電腦主流使用著DDR4內(nèi)存，DDR5即將正式到來。最近，AMD、Intel在發(fā)布新品時，都已開始支持DDR5。作為下一代存儲技術(shù)，它究竟有何奧妙？

　　去年7月，電子器件工程聯(lián)合會（JEDEC）終于正式發(fā)布了下一代主流存儲器（DDR5 SDRAM）最終規(guī)范。自90年代末以來，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲器技術(shù)已經(jīng)歷多次迭代，并且推動了PC、服務(wù)器等生態(tài)的快速發(fā)展。

　　據(jù)悉，JEDEC最初于2018年提出DDR5內(nèi)存規(guī)范，時隔兩年，正式版本雖然來得有些晚，但并沒有降低新一代存儲器標準的重要性。

　　值得一提的是，DDR5再次將重點放在了DRAM存儲的密度和速率上。JEDEC將兩者都提升了一倍，最大內(nèi)存速率也設(shè)置到了6.4Gbps起步、單條LRDIMM容量有望達到2TB。

　　與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準已支持單顆64Gbit的DRAM存儲芯片，是DDR4最大允許容量（16Gbit）的四倍。

　　結(jié)合管芯堆疊工藝，還可將多達8組管芯塞入單個芯片，那樣40個單元的LRDIMM即可達2TB的有效存儲容量。至于不那么起眼的無緩沖DIMM，典型雙面配置亦可達成128GB的單條內(nèi)存容量。

　　下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，實際上，早在2020年1月美光科技（Micron）就宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。

　　與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

　　美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝，大概是12-14nm節(jié)點之間，ECC DIMM規(guī)格，頻率DDR5-4800，比現(xiàn)在的DDR4-3200內(nèi)存性能提升了85%左右，不過距離DDR5-6400還有點距離，后期還有挖掘的空間。

　　根據(jù)美光科技介紹，DDR5是目前技術(shù)最先進的DRAM，以4800 MT/s的引入數(shù)據(jù)速率將內(nèi)存性能提高85%以上，從而支持下一代服務(wù)器工作負載。與DDR4相比，DDR5將提供兩倍以上的有效帶寬，有助于緩解每個核心的帶寬緊縮，進一步推動CPU內(nèi)核數(shù)量的增加，使計算能力逐年提高。

　　對DDR5內(nèi)存來說，平臺的支持是最大的問題，不過從目前各大公司公布的產(chǎn)品來看，大部分新產(chǎn)品都已正式支持DDR5內(nèi)存的平臺。