意法半導(dǎo)體RHRDAC121抗輻射加固數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)的最低工作電壓為 2.5V，適用于老式 3.3V數(shù)模轉(zhuǎn)換器不支持的現(xiàn)代低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

新產(chǎn)品是內(nèi)置逐次逼近寄存器 (SAR)的12 位1Msps數(shù)模轉(zhuǎn)換器，在最高轉(zhuǎn)換速率和電源電壓時(shí)功耗僅為0.6mW，這種低功耗設(shè)計(jì)有助于降低下一代衛(wèi)星的尺寸、重量和功耗 (SWaP)。典型應(yīng)用包括遙測(cè)、內(nèi)務(wù)管理和精密傳感器增益調(diào)整。功能特性包括SPI兼容串行輸出、內(nèi)部電壓基準(zhǔn)和自動(dòng)上電復(fù)位至零伏輸出，這些功能可以用最少的外部組件實(shí)現(xiàn)高精度，降低電路復(fù)雜性和電路板面積。

RHRDAC121 在高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID) 的惡劣條件下保持性能參數(shù)穩(wěn)定，在高達(dá) 125MeV.cm2/mg條件下，沒有單粒子閂鎖 (SEL)效應(yīng)，并測(cè)試分析了單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子翻轉(zhuǎn) (SEU)效應(yīng)，因策，這款產(chǎn)品可以直接部署到實(shí)際應(yīng)用中，無需按照高一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步篩選器件。

RHRDAC121通過QML-V標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，采用金引線或浸焊引線密封陶瓷封裝，同時(shí)還提供裸片產(chǎn)品。新產(chǎn)品在歐洲設(shè)計(jì)制造，采用意法半導(dǎo)體在航天業(yè)從業(yè)45 年打造的市場(chǎng)口碑很好的130nm 全CMOS 技術(shù)工藝。新數(shù)模轉(zhuǎn)換器的開發(fā)資金由法國(guó)航天局 CNES（Centre National d’Etudes Spatiales）提供。