1. 2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈營(yíng)收，第一次見(jiàn)到全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈營(yíng)收2021年為8925億美元

Source;digitimes research;2022-Mar

2. 量?jī)r(jià)齊揚(yáng)！2021年全球前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者營(yíng)收破千億美元

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2021年由于各類(lèi)終端應(yīng)用需求強(qiáng)勁，導(dǎo)致晶圓缺貨，全球IC產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重供不應(yīng)求，連帶使芯片價(jià)格上漲，拉抬2021年全球前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者營(yíng)收至1,274億美元，年增48%。

TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步表示，與2020年的排名最大不同之處有三，其一，英偉達(dá)（NVIDIA）超越博通（Broadcom）成為名第二；其二，聯(lián)詠（Novatek）與瑞昱（Realtek）名次分別上升至第六及第八名；至于原先排名第十的戴樂(lè)格（Dialog）則因被IDM大廠瑞薩（Renesas）收購(gòu)，故由奇景（Himax）取代第十名位置。

3. ICinsights：模擬芯片市場(chǎng)持續(xù)火熱

預(yù)計(jì) 2022 年模擬 IC 總銷(xiāo)售額將增長(zhǎng) 12% 至 832 億美元，單位出貨量將增長(zhǎng) 11% 至 2387 億（圖 1）。預(yù)計(jì) 2022 年模擬 IC 的平均售價(jià)將增長(zhǎng) 1%。

今年，IC Insights 跟蹤的每個(gè)主要通用模擬和特定應(yīng)用模擬市場(chǎng)類(lèi)別預(yù)計(jì)都將實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)，從放大器和比較器領(lǐng)域的 7% 增長(zhǎng)到汽車(chē)專(zhuān)用模擬 IC 的 17% 增長(zhǎng)（圖 2）

IC Insights在最新報(bào)告中對(duì) 2020 年領(lǐng)先的模擬 IC 供應(yīng)商進(jìn)行了排名（下圖）。這 10 家公司的模擬 IC 銷(xiāo)售額合計(jì)為 354 億美元，占去年模擬 IC 市場(chǎng)總額 570 億美元的 62%，與 2019 年的份額相同。

4. 展望來(lái)年3nm之爭(zhēng)，GAAFET為何輸給FinFET？

GAAFET有多種不同的稱(chēng)謂，比如說(shuō)有人叫他nanosheet FET，Intel則稱(chēng)其為RibbonFET。GAA結(jié)構(gòu)晶體管的本質(zhì)，就是把FinFET的fin轉(zhuǎn)90°，然后把多個(gè)fin橫向疊起來(lái)，這些fin都穿過(guò)gate——或者說(shuō)被gate完全環(huán)抱，所以叫做gate all around;另外每個(gè)翻轉(zhuǎn)過(guò)的fin都像是一片薄片(sheet)，它們都是channel，叫做nanosheet FET也是順理成章的。

三星作為GAAFET晶體管生產(chǎn)制造的馬前卒，必然面臨更多的技術(shù)挑戰(zhàn)。比如說(shuō)硅基溝道中較低的空穴遷移率(hole mobility)，致pFET性能表現(xiàn)不佳。IBM在此前的IEDM上表示，這一問(wèn)題的解決方法在于pFET可應(yīng)用壓縮應(yīng)力的鍺化硅(SiGe)溝道材料：“pFET鍺化硅溝道能夠?qū)崿F(xiàn)40%的遷移率提升，相較硅基溝道有10%的性能優(yōu)勢(shì)，而且有更低的閾值電壓(Vt)，NBTI(負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性)表現(xiàn)也有提升。”

GAAFET的制造流程，首先在substrate上沉積超薄的鍺化硅與硅的交替層，形成一種超晶格結(jié)構(gòu)(super-lattice)，每種材料疊多層。sheet就是在超晶格結(jié)構(gòu)中曝光與蝕刻的。隨后內(nèi)部spacer隔層構(gòu)成;在spacer蝕刻時(shí)，超晶格結(jié)構(gòu)中，鍺化硅層的表面部分凹陷，再填入介電材料。隨后源極漏極形成;超晶格結(jié)構(gòu)中的鍺化硅層移除，留下硅基層sheet，也就是channel溝道。最后，通過(guò)沉積high-k(高介電常數(shù))的介電與金屬gate材料來(lái)構(gòu)成gate。

每一步都存在相當(dāng)多的工程問(wèn)題，也就要求工廠有完美的工藝流程控制策略。材料供應(yīng)商Brewer Science說(shuō)越小的節(jié)點(diǎn)，工藝控制存在的挑戰(zhàn)就越大。在3nm節(jié)點(diǎn)以后，EUV光刻、原子層沉積(atomic layer deposition)、檢測(cè)與量測(cè)等等技術(shù)都需要持續(xù)進(jìn)化。

談了這么多，可能仍然沒(méi)有很多同學(xué)最想了解的關(guān)鍵。畢竟3nm工藝現(xiàn)在還沒(méi)有成品芯片問(wèn)世。即便問(wèn)世了，恐怕我們也很難搞清楚三星當(dāng)前遭遇的主要技術(shù)挑戰(zhàn)在哪兒。

本文的上篇已經(jīng)談到了三星3nm GAA工藝與臺(tái)積電N3，預(yù)計(jì)在晶體管密度方面的變化——還算是比較直觀的比較?？偟膩?lái)說(shuō)，三星雖然在3nm節(jié)點(diǎn)上轉(zhuǎn)向了GAAFET，在晶體管結(jié)構(gòu)和密度潛力上占據(jù)優(yōu)勢(shì)。但預(yù)期的晶體管密度、功耗與速度提升，都和臺(tái)積電N3 FinFET有著較大的差距。

只能說(shuō)三星現(xiàn)階段相關(guān)GAAFET的技術(shù)儲(chǔ)備，在未來(lái)有機(jī)會(huì)發(fā)揮作用，并趕上臺(tái)積電。但一方面在于早做新技術(shù)探索總是充滿更多的不確定性，如前所述，foundry廠也需要解決大量GAAFET晶體管制造流程中的技術(shù)挑戰(zhàn)。

5. 英偉達(dá)黃仁勛承認(rèn)正在與Intel談代工合作

使用英特爾作為代工服務(wù)合作伙伴需要很長(zhǎng)時(shí)間?！按び懻撔枰荛L(zhǎng)時(shí)間，而且不僅僅是欲望。我們必須對(duì)齊技術(shù)，必須對(duì)齊商業(yè)模式，必須對(duì)齊產(chǎn)能，必須對(duì)齊兩家公司的運(yùn)營(yíng)流程和性質(zhì). 這需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間和大量深入的討論。

”英特爾現(xiàn)在生產(chǎn) GPU，英偉達(dá)現(xiàn)在生產(chǎn) GPU，這意味著兩家公司現(xiàn)在將在多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)直接競(jìng)爭(zhēng)。黃還評(píng)論了與英特爾分享英偉達(dá)秘密的潛在擔(dān)憂，他的回答頗具啟發(fā)性：“多年來(lái)，我們一直在與英特爾密切合作，在我們與公眾分享我們的路線圖之前就與他們分享了我們的路線圖。英特爾已經(jīng)知道我們的多年的秘密。AMD 多年來(lái)一直知道我們的秘密。我們足夠熟悉，并意識(shí)到我們必須合作。

6. 英偉達(dá)又炸自動(dòng)駕駛?cè)?，拿下比亞迪Orin提前量產(chǎn)Hyperion 9性能翻倍

3月22日晚間，英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛在GTC 2022大會(huì)上宣布，其自動(dòng)駕駛芯片Orin于本月正式投產(chǎn)銷(xiāo)售。與此同時(shí)，英偉達(dá)推出了基于Atlan芯片的新一代自動(dòng)駕駛平臺(tái)DRIVE Hyperion 9，并計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

英偉達(dá)，既掌控自動(dòng)駕駛的大腦，又掌控自動(dòng)駕駛的神經(jīng)。

自動(dòng)駕駛芯片、平臺(tái)與車(chē)型三者之間的關(guān)系并不容易理解，英偉達(dá)給出一個(gè)形象的比喻：汽車(chē)是軀體，自動(dòng)駕駛平臺(tái)是神經(jīng)，自動(dòng)駕駛芯片是大腦。

Hyperion 9自動(dòng)駕駛平臺(tái)方面，相比目前的第8代平臺(tái)，最明顯的改變是支持感知硬件數(shù)量大幅度提升，最多可達(dá)50個(gè)。其中包括，車(chē)外部分14個(gè)攝像頭、9個(gè)毫米波雷達(dá)、3個(gè)激光雷達(dá)以及20個(gè)超聲波雷達(dá)；車(chē)內(nèi)部分，可支持3個(gè)攝像頭以及1個(gè)毫米波雷達(dá)。

Hyperion 9的感知硬件數(shù)量多了17個(gè)，但產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將會(huì)是8代平臺(tái)的2倍以上。這意味著Hyperion 9的性能兩倍于第8代平臺(tái)。

Hyperion 9將支持L3級(jí)自動(dòng)駕駛和停車(chē)場(chǎng)L4級(jí)泊車(chē)功能。

雖然英偉達(dá)還沒(méi)有公布各模塊具體的核心參數(shù)，但在算力方面，Atlan芯片的目標(biāo)算力是1000TOPS，而Orin芯片的算力水平是254TOPS。Atlan提升了3倍左右。

7. 臺(tái)積電英特爾三星全球布局對(duì)比

英特爾方面，其在全球共有約11萬(wàn)名員工，目前生產(chǎn)布局以歐美地區(qū)為主，晶圓生產(chǎn)基地包括美國(guó)亞歷桑那、奧勒岡、及愛(ài)爾蘭、以色列等，另外在新墨西哥、哥斯大黎加與馬來(lái)西亞，也有封測(cè)相關(guān)據(jù)點(diǎn)。

目前，英特爾在全球10個(gè)地點(diǎn)擁有15處正常生產(chǎn)的晶圓廠。在美國(guó)的英特爾生產(chǎn)工廠地點(diǎn)包括：亞利桑那州Chandler、新墨西哥州Rio Rancho 、俄勒岡州Hillsboro。除美國(guó)本土之外，愛(ài)爾蘭萊克利普、以色列比薩、以色列Kiryal Gat、中國(guó)大連。封裝方面，英特爾在美國(guó)擁有一座測(cè)試基地和一座裝配開(kāi)發(fā)工廠。其余裝配工廠均在美國(guó)境外，分別是中國(guó)上海、中國(guó)成都、哥斯達(dá)黎加圣荷西、馬來(lái)西亞 Kulim、馬來(lái)西亞檳城、越南胡志明市。

以制程來(lái)看，依照英特爾先前公布的制程技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖，該公司已有采用Intel 7制程的產(chǎn)品，其Intel 4制程預(yù)計(jì)于今年下半準(zhǔn)備量產(chǎn)，2023年開(kāi)始出貨，Intel 3制程計(jì)劃于2023年下半年準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)，Intel 20A制程估計(jì)于2024年逐步量產(chǎn)，另外，Intel 18A制程已進(jìn)入開(kāi)發(fā)階段，于2025年初問(wèn)世。

目前，臺(tái)積電擁有四座十二吋超大晶圓廠（GIGAFAB? Facilities）、四座八吋晶圓廠和一座六吋晶圓廠，并擁有一家百分之百持有子公司—臺(tái)積電（南京）有限公司之十二吋晶圓廠及二家百分之百持有子公司—WaferTech美國(guó)子公司、臺(tái)積電（中國(guó)）有限公司八吋晶圓廠產(chǎn)能。其中于2016年成立的臺(tái)積電（南京）有限公司，下設(shè)有一座十二寸晶圓廠以及一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心。除此之外，臺(tái)積電還在臺(tái)灣島內(nèi)擁有4個(gè)后段封測(cè)廠。

目前，三星在本國(guó)、中國(guó)西安、中國(guó)蘇州、美國(guó)奧斯汀擁有7個(gè)制造中心，并在印度、美國(guó)、以色列、英國(guó)、丹麥、中國(guó)擁有多個(gè)研發(fā)中心。

展望今年第一季度，三星指出晶圓代工將專(zhuān)注于提高其先進(jìn)制程產(chǎn)量，進(jìn)而提升供應(yīng)穩(wěn)定性。此外，公司將在今年上半年量產(chǎn)3nm GAA首代制程3GAE，后續(xù)將開(kāi)發(fā)第二代GAA制程3GAP。

8. 640億美元，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入增長(zhǎng)15.9%

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)SEMI報(bào)告全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng) 2021 年收入增長(zhǎng) 15.9% 至 643 億美元

9. 華虹半導(dǎo)體發(fā)行股份科創(chuàng)板上市！

華虹半導(dǎo)體在港交所公告，董事會(huì)批準(zhǔn)可能發(fā)行人民幣股份及將該等人民幣股份在上交所科創(chuàng)板上市的初步建議。將予發(fā)行的人民幣股份(包括將因超額配股權(quán)(如有)獲行使而發(fā)行的人民幣股份)不得超過(guò)本公司經(jīng)根據(jù)建議發(fā)行人民幣股份擬發(fā)行及配發(fā)的人民幣股份擴(kuò)大后的已發(fā)行股本25%。

10. 智算中心爭(zhēng)奪戰(zhàn)算力不能解決一切

在數(shù)據(jù)中心的生命周期里，80%的費(fèi)用是運(yùn)營(yíng)費(fèi)用，而其中一半是電費(fèi)。比如，傳統(tǒng)的風(fēng)冷PUE差不多在2.2，這個(gè)損耗是非常巨大的，現(xiàn)在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)是PUE要到1.3。PUE是數(shù)據(jù)中心電力使用效率的衡量指標(biāo)，越小越好。

為了節(jié)能，各家企業(yè)都使用了絕技，有些把數(shù)據(jù)中心放在山洞里，有些放在海里，有些放在沙漠里?！拔磥?lái)的數(shù)據(jù)中心只有一種冷卻叫液冷。”浪潮信息副總裁劉軍對(duì)數(shù)智前線說(shuō)。隨著摩爾定律的發(fā)展，服務(wù)器的面積會(huì)越來(lái)越小，散熱要求則越來(lái)越高，“只有液冷才能解決這個(gè)問(wèn)題?！?/p>

11. 算一算蘋(píng)果的芯片成本賣(mài)貴了？

我們可以看到 ，如果M1 芯片每個(gè)die的良率為80%，那么其價(jià)值為$40 ， 良率為70%的M1 Pro 價(jià)值為$96，良率為60%的 M1 Max 在每個(gè)die價(jià)值為$200.這些芯片是由TSMC的5 nm工藝制造，并估計(jì)代工費(fèi)用每片17，000美元。

12. 摩爾定律的現(xiàn)在及未來(lái)

技術(shù)對(duì)人類(lèi)而言從未像現(xiàn)在這樣重要。在四大超級(jí)技術(shù)力量的推動(dòng)下，萬(wàn)物都在數(shù)字化。

這四大超級(jí)技術(shù)力量是無(wú)所不在的計(jì)算、從云到邊緣的基礎(chǔ)設(shè)施、無(wú)處不在的連接和人工智能，它們將超越并改變世界。目前，我們看到世界對(duì)算力的需求永無(wú)止境，更多的算力將持續(xù)推動(dòng)行業(yè)進(jìn)行更多創(chuàng)新。例如，全球每天會(huì)產(chǎn)生約270000PB（即27x1019）的數(shù)據(jù)②。預(yù)計(jì)到2030年，平均每個(gè)人將擁有1petaflop（每秒進(jìn)行1015次浮點(diǎn)運(yùn)算）的算力和1PB的數(shù)據(jù)，時(shí)延不到1毫秒③。這種對(duì)計(jì)算能力越來(lái)越強(qiáng)的需求，是驅(qū)動(dòng)行業(yè)推進(jìn)摩爾定律的動(dòng)力。

當(dāng)下的創(chuàng)新

制程

英特爾下一個(gè)偉大的架構(gòu)創(chuàng)新是RibbonFET，這是英特爾在Gate All Around（GAA）晶體管上的實(shí)現(xiàn)，將與Intel 20A一同推出。RibbonFET代表了英特爾自FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。RibbonFET能在更小的占用空間中，以相同的驅(qū)動(dòng)電流提供更快的晶體管開(kāi)關(guān)速度。同時(shí)，英特爾還提供業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸架構(gòu)PowerVia。以前，電源來(lái)自裸片頂部并與信號(hào)互連“競(jìng)爭(zhēng)”?，F(xiàn)在通過(guò)分離電源和信號(hào)，能更有效地使用金屬層，這減少了對(duì)兩者的權(quán)衡，并提升了性能。下一代極紫外（EUV）光刻技術(shù)，即高數(shù)值孔徑（High-NA），進(jìn)一步提高了分辨率并減少誤差，降低了制程工藝的復(fù)雜性，同時(shí)提高了設(shè)計(jì)規(guī)則的靈活性。英特爾正與ASML及其他生態(tài)伙伴緊密攜手，率先將這項(xiàng)技術(shù)投入量產(chǎn)。

封裝

展望未來(lái)，隨著進(jìn)入先進(jìn)封裝時(shí)代，我們看到封裝帶來(lái)了晶體管密度的提升。甚至連戈登本人也意識(shí)到了封裝的重要性，并在他的原始論文中寫(xiě)到：“事實(shí)證明，用較小的功能模塊構(gòu)建大型系統(tǒng)可能會(huì)更經(jīng)濟(jì)，這些功能模塊將分別進(jìn)行封裝和互連。”④隨著進(jìn)入先進(jìn)封裝時(shí)代，這些2D和3D堆疊技術(shù)為架構(gòu)師和設(shè)計(jì)師提供了工具，以進(jìn)一步增加單個(gè)設(shè)備的晶體管數(shù)量，并將有助于實(shí)現(xiàn)摩爾定律所需的微縮。

例如Ponte Vecchio，英特爾將47種不同的晶片組合在一個(gè)封裝中，為先進(jìn)封裝功能樹(shù)立了新的基準(zhǔn)。

英特爾即將推出的下一代Foveros技術(shù)——Foveros Omni和Foveros Direct，提供了新的微縮、新的互連技術(shù)和新的混搭能力。Foveros Omni進(jìn)一步將互連間距微縮到25微米，并增加了多個(gè)基礎(chǔ)晶片的選擇，與EMIB技術(shù)相比，其實(shí)現(xiàn)了近4倍的密度提升，同時(shí)也擴(kuò)展了英特爾混搭基礎(chǔ)晶片的能力。Foveros Direct引入了無(wú)焊料直接銅對(duì)銅鍵合，可實(shí)現(xiàn)低電阻互連和10微米以下的凸點(diǎn)間距。由此產(chǎn)生的互連能力，為功能性裸片分區(qū)開(kāi)辟了新的視野，這在以前是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。同時(shí)，該技術(shù)還能垂直堆疊芯片的多個(gè)有源層。隨著這些技術(shù)和其他技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)，先進(jìn)封裝將為設(shè)計(jì)師和架構(gòu)師提供另一種工具用于推進(jìn)摩爾定律。

摩爾定律的現(xiàn)在及未來(lái)

技術(shù)對(duì)人類(lèi)而言從未像現(xiàn)在這樣重要。在四大超級(jí)技術(shù)力量的推動(dòng)下，萬(wàn)物都在數(shù)字化。

這四大超級(jí)技術(shù)力量是無(wú)所不在的計(jì)算、從云到邊緣的基礎(chǔ)設(shè)施、無(wú)處不在的連接和人工智能，它們將超越并改變世界。目前，我們看到世界對(duì)算力的需求永無(wú)止境，更多的算力將持續(xù)推動(dòng)行業(yè)進(jìn)行更多創(chuàng)新。例如，全球每天會(huì)產(chǎn)生約270000PB（即27x1019）的數(shù)據(jù)②。預(yù)計(jì)到2030年，平均每個(gè)人將擁有1petaflop（每秒進(jìn)行1015次浮點(diǎn)運(yùn)算）的算力和1PB的數(shù)據(jù)，時(shí)延不到1毫秒③。這種對(duì)計(jì)算能力越來(lái)越強(qiáng)的需求，是驅(qū)動(dòng)行業(yè)推進(jìn)摩爾定律的動(dòng)力。

總而言之，當(dāng)考慮到所有制程工藝和先進(jìn)封裝創(chuàng)新時(shí)，英特爾有諸多選擇能繼續(xù)按照客戶要求的節(jié)奏，將單個(gè)設(shè)備的晶體管數(shù)量翻一番。只有當(dāng)創(chuàng)新停止時(shí)，摩爾定律才會(huì)失效，而英特爾在制程工藝、封裝和架構(gòu)方面的創(chuàng)新將永不止步。預(yù)計(jì)到2030年，英特爾將在單個(gè)設(shè)備中提供約1萬(wàn)億個(gè)晶體管，我們正為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)不懈努力。

13. 高盛不看好晶圓代工的五大原因

高盛證券最新指出，根據(jù)外部風(fēng)險(xiǎn)造成市場(chǎng)波動(dòng)、設(shè)備交期拉長(zhǎng)等五大因素，下修臺(tái)積電、聯(lián)電、世界股價(jià)預(yù)期，是繼美銀證券調(diào)整十檔電子股后，又一大型外資券商出手微幅修正估值，且主因均非看壞指標(biāo)企業(yè)基本面。

一、高盛總體經(jīng)濟(jì)學(xué)團(tuán)隊(duì)最近才下修全球GDP預(yù)測(cè)，盡管目前尚未看到晶圓代工端出現(xiàn)砍單，然考慮到總體經(jīng)濟(jì)下滑影響消費(fèi)產(chǎn)品需求，確實(shí)不排除2022年底、2023年初面臨部分訂單調(diào)整。

二、基于需求的波動(dòng)性，2022年要再看見(jiàn)晶圓代工迎來(lái)全面性漲價(jià)的機(jī)率不高，就算有任何漲價(jià)，那也將是針對(duì)急單或是先前取得相對(duì)低報(bào)價(jià)的客戶。整體而言，高盛對(duì)臺(tái)積電、聯(lián)電、世界2022年的財(cái)務(wù)模型中，都沒(méi)有納入進(jìn)一步漲價(jià)可能；至于2023年，高盛預(yù)期，除了臺(tái)積電8吋晶圓可能漲價(jià)外，其他晶圓代工價(jià)格都將持平。

三、根據(jù)高盛調(diào)查，因半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)能吃緊，晶圓廠采購(gòu)的設(shè)備平均出現(xiàn)三至六個(gè)月的延遲（特別是二線晶圓代工廠），高盛因而調(diào)降晶圓代工廠近二年產(chǎn)能擴(kuò)張幅度，亦下修2022年資本支出預(yù)期。

四、鑒于地緣政治風(fēng)險(xiǎn)導(dǎo)致市場(chǎng)波動(dòng)加劇，高通膨情況支持升息周期，高盛經(jīng)濟(jì)學(xué)家更新亞洲市場(chǎng)股權(quán)成本（COE）假設(shè)，同時(shí)，高盛宏觀團(tuán)隊(duì)將臺(tái)股市場(chǎng)的股票風(fēng)險(xiǎn)溢價(jià)假設(shè)從6％上調(diào)至6.25％。

五、大部分晶圓代工廠向客戶收費(fèi)都是以美元計(jì)價(jià)，因此，新臺(tái)幣相對(duì)美元貶值通常有利這些臺(tái)廠的營(yíng)收；在獲利方面，盡管物料成本多以美元計(jì)價(jià)，可能會(huì)抵消部分營(yíng)收來(lái)自新臺(tái)幣貶值的好處，但如人工成本、營(yíng)運(yùn)成本多不是以美元計(jì)價(jià)，整體來(lái)看對(duì)臺(tái)廠毛利率、營(yíng)業(yè)利益率仍為有利因素。

14. 2022主要代工業(yè)者產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃

15. 格科半導(dǎo)體ASML先進(jìn)ArF光刻機(jī)正式MOVE IN！

自上市以來(lái)，格科微“12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”推進(jìn)迅速，廠房建設(shè)基本完成，相關(guān)設(shè)備有序搬入、安裝。從2022年3月7日開(kāi)始，格科半導(dǎo)體順利搬入光刻機(jī)主要廠商之一——ASML的相關(guān)設(shè)備。3月24日，格科半導(dǎo)體再次迎來(lái)了重要階段性成果，成功實(shí)現(xiàn)整套ASML光刻機(jī)中的關(guān)鍵設(shè)備——先進(jìn)ArF光刻機(jī)的搬入。如期搬入最關(guān)鍵的設(shè)備，標(biāo)志著公司能夠確保安全防疫和潔凈室生產(chǎn)線穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)兩手抓、兩不誤，為公司高端CIS產(chǎn)品快速研發(fā)及市場(chǎng)化推廣打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

16. 兩大因素所致部分非手機(jī)市場(chǎng)2022年訂單量或出現(xiàn)明顯下滑

“筆電市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始‘退熱’了，就目前的訂單和客戶需求情況來(lái)看是在持續(xù)下探，并且由于前兩年的漲幅太猛，今年市場(chǎng)整體的需求量或許會(huì)有比較明顯的衰退。如果是從公司本身的情況來(lái)看，我們預(yù)估全年訂單量縮減大概會(huì)達(dá)到20%左右?！?/p>

其實(shí)工業(yè)、醫(yī)療、可穿戴、智能家居等幾個(gè)熱度較高的非手機(jī)領(lǐng)域，都可以納入AIoT市場(chǎng)，因?yàn)锳I技術(shù)的加持，給這些產(chǎn)品創(chuàng)造了更大的發(fā)展空間。根據(jù)IDC發(fā)布的報(bào)告數(shù)據(jù)，2019年全球AIoT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2264億美元，預(yù)計(jì)到2022年達(dá)到4820億美元，2019-2022年復(fù)合增長(zhǎng)率為28.65%。

如前所述，由于產(chǎn)業(yè)鏈原本預(yù)期的增長(zhǎng)局面沒(méi)有出現(xiàn)，供給端的產(chǎn)能布局卻已經(jīng)就位，很可能造成供過(guò)于求的局面。不僅如此，AIoT領(lǐng)域中有相當(dāng)一部分終端的零部件規(guī)格參數(shù)僅僅停留在中低端智能手機(jī)的水平，具備量產(chǎn)能力的廠商數(shù)量也不在少數(shù)。或許在市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)前期這些產(chǎn)品的利潤(rùn)水平尚可，但礙于產(chǎn)品本身的技術(shù)優(yōu)勢(shì)并不突出，這一水準(zhǔn)也將隨著需求量加大而持續(xù)降低。