12代酷睿誕生以來(lái)，除開CPU本身，最受關(guān)注的莫過(guò)于在先進(jìn)協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲(chǔ)器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議，打破了多年來(lái)內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗(yàn)的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。

關(guān)于前者，鑒于尚未出現(xiàn)消費(fèi)級(jí)PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品，在此略過(guò)。今天，重點(diǎn)聊聊被譽(yù)為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。

關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)存后續(xù)頻率甚至達(dá)到6000MHz以上水準(zhǔn)。僅從數(shù)值觀感上而言，DDR5確實(shí)稱得上是一次內(nèi)存技術(shù)的大飛躍大革命，除開數(shù)值刺激，從技術(shù)角度，DDR5內(nèi)存主要有以下五大技術(shù)升級(jí)，其中最后一個(gè)出乎意料。

01 等效頻率成倍提升——跑得更快

DDR5最耀眼的技術(shù)升級(jí)，都是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從“2133MHz”跨越式增長(zhǎng)至“4800MHz”，甚至隨著當(dāng)下DDR5內(nèi)存調(diào)參的深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉健?/p>

頻率的提升，使得DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無(wú)論是在讀取測(cè)試、寫入測(cè)試，還是復(fù)制、延時(shí)方面，從跑分結(jié)果而言，DDR5無(wú)疑是超前，提升更是巨幅的。

DDR5內(nèi)存跑分

DDR4內(nèi)存跑分

這也是眾多用戶，對(duì)于DDR5內(nèi)存的第一印象，也是最易接受的技術(shù)創(chuàng)新，即頻率提升帶來(lái)的跑分提升，讓計(jì)算機(jī)在理論上能夠“跑得更快”了。

02 DRAM容量提升——容量更大

內(nèi)存的DRAM容量也是此次DDR5內(nèi)存技術(shù)提升的重點(diǎn)方向，在JEDEC的DDR4規(guī)范中，單顆內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時(shí)代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

換句話說(shuō)，DDR4時(shí)代單條32GB可能便是消費(fèi)級(jí)內(nèi)存的容量天花板了，可進(jìn)入DDR5時(shí)代，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的提升，制程工藝和內(nèi)部設(shè)計(jì)的冗余，使得單條32GB成為業(yè)界主流標(biāo)準(zhǔn)，甚至于后續(xù)單條64GB，乃至于單條128GB，都將成為可能。

當(dāng)然了，以上容量規(guī)格的誕生，還需要DDR5技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)和優(yōu)化，以及消費(fèi)用戶的接受程度，是一個(gè)漫長(zhǎng)的革新過(guò)程；但標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的誕生，便是內(nèi)存容量擴(kuò)充的積極信號(hào)。

03 工作電壓更低——功耗更低、超頻更強(qiáng)

如果說(shuō)容量和性能的倍增是最為顯著的技術(shù)升級(jí)，那么接下來(lái)的內(nèi)部技術(shù)的升級(jí)和糾正，則是在更深維度進(jìn)行了迭代優(yōu)化。

工作電壓的降低，便是其中重要的一環(huán)。

DDR5內(nèi)存工作電壓低至1.1V，對(duì)比DDR4最低1.2V的工作電壓，實(shí)現(xiàn)了20%左右的降低，它的降低擁有兩個(gè)重要意義。

其一是功耗方面，尤其是對(duì)于筆記本產(chǎn)品，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品而言，20%的功耗降低，具有顯著的節(jié)能意義；其二是超頻潛能，起始電壓的降低，使得后續(xù)進(jìn)行超頻調(diào)參有了更大的可操作空間，能進(jìn)一步提升內(nèi)存的超頻潛能。

04 On-die ECC下放——糾錯(cuò)能力更強(qiáng)、運(yùn)行更穩(wěn)定

實(shí)際上，隨著晶圓光刻技術(shù)不斷改進(jìn)，DRAM芯片密度不斷提高，導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄露、數(shù)據(jù)校正、數(shù)據(jù)出錯(cuò)的可能性加大。尤其是在企業(yè)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景下，為了避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的頻繁發(fā)生，業(yè)界便引入ECC糾錯(cuò)機(jī)制，從而規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，提高可靠性并降低缺陷率。

而全新DDR5內(nèi)存，為了進(jìn)一步穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸和校正，迎入了一項(xiàng)類似企業(yè)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景的On-die ECC糾錯(cuò)機(jī)制，該機(jī)制能夠動(dòng)態(tài)糾正數(shù)據(jù)單位錯(cuò)誤，或是數(shù)據(jù)編碼錯(cuò)誤，為用戶日常應(yīng)用的穩(wěn)定性，提供技術(shù)保障，這是企業(yè)級(jí)技術(shù)下放到消費(fèi)級(jí)場(chǎng)景的一次大膽嘗試，也是DDR5內(nèi)存極具創(chuàng)新的重要產(chǎn)品升級(jí)。

05 雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

最后一項(xiàng)重要技術(shù)升級(jí)，便是雙32位尋址通道的引入，其基本原理是將DDR5內(nèi)存模組內(nèi)部64位數(shù)據(jù)帶寬，分為兩路帶寬分別為32位的可尋址通道，從而有效的提高了內(nèi)存控制器，進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問(wèn)的效率，同時(shí)減少了延遲。

所以我們可以看到，單條DDR5內(nèi)存插入電腦后，部分專業(yè)軟件甚至直接識(shí)別為雙通道內(nèi)存，便是由于DDR5內(nèi)存模組激進(jìn)的將“64位單通道”化為“獨(dú)立32位雙通道”的技術(shù)創(chuàng)新；當(dāng)然這種雙通道設(shè)計(jì)，和常規(guī)意義上的雙通道還是存在相當(dāng)區(qū)別，并不能和傳統(tǒng)意義上的兩條內(nèi)存組成雙通道進(jìn)行對(duì)比，其提升的效果也視應(yīng)用場(chǎng)景有著一定性能差異。

但總的來(lái)說(shuō)，雙32位尋址通道的引入，對(duì)于尋址性能和延遲降低，有著顯著提升作用，DDR5總體性能的躍升某種意義上和該技術(shù)有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。

06 DDR5新技術(shù)帶來(lái)的思索

DDR5內(nèi)存自從去年開始展露頭角，就一直深處風(fēng)口浪尖，新技術(shù)的到來(lái)，必然會(huì)引發(fā)舊產(chǎn)品的脫節(jié)，新舊產(chǎn)品、新舊技術(shù)的更迭和換代，是科技行業(yè)無(wú)時(shí)無(wú)刻不在發(fā)生的必然事件。

對(duì)于從業(yè)者而言，快速了解和接納新技術(shù)新工藝，是繼續(xù)的根本；對(duì)于消費(fèi)者而言，新技術(shù)可以不喜歡不看好，卻無(wú)法不接受，深處技術(shù)大躍進(jìn)時(shí)代的你我，擋不住也躲不了，你說(shuō)呢？