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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):快充測(cè)試

            羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):快充測(cè)試

            作者:胡世 時(shí)間:2022-03-19 來源:EEPW論壇 收藏

            一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202203/432173.htm

            1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板

            1622626505558060.jpg

            1622626523527663.jpg

            2、電壓源

            1622626555125488.jpg

            3、示波器

            1622626574724608.jpg

            4、負(fù)載儀

            1622626595533594.jpg

            二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行

            1、安裝 SIC后的空載波形

            安裝

            1622626625217930.jpg

            空載波形

            1622626644813224.jpg

            空板,空載GS 為100hz 25V 信號(hào)

            2、DCDC 在線測(cè)試

            1)空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)

            1622626686699025.jpg

            空載輸出12V,gs驅(qū)動(dòng)為200hz

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            總寬度3.6uS的錐形信號(hào)

            1622626747388188.jpg

            2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc

            1622626776909675.jpg

            驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下:

            帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)

            1622626805378606.jpg

            1622626827922317.jpg

            1622626844281495.jpg

            單脈沖寬度,3uS左右

            總結(jié)

            由于輕負(fù)載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備,進(jìn)行高壓大電流測(cè)試。



            關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

            評(píng)論


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