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            SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

            作者: 時間:2022-03-19 來源:羅姆R課堂 收藏

            功率元器件的開發(fā)背景

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202203/432165.htm

            通過將應(yīng)用到功率元器件上,實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進(jìn)解決全球節(jié)能課題。

            以低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器為例,隨著移動技術(shù)的發(fā)展,超過90 %的轉(zhuǎn)換效率是很正常的,然而高電壓、大電流的AC/DC轉(zhuǎn)換器的效率還存在改善空間。眾所周知,以EU為主的相關(guān)節(jié)能指令強(qiáng)烈要求電氣/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。

            在這種背景下,削減功率轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說,必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。

            例如,利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85%。如該例所示,毫無疑問,SiC功率元器件將成為能源問題的一大解決方案。

            SiC_1-2_possi

            SiC的優(yōu)點(diǎn)

            如前文所述,利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然,這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn),接下來希望再了解一下低阻值、高速工作、高溫工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。

            通過與Si的比較來進(jìn)行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗,但阻值相同的話就可以縮小元件(芯片)的面積。應(yīng)對大功率時,有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊。例如,SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。

            關(guān)于“高速工作”,通過提高開關(guān)頻率,變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實(shí)際上有能做到原有1/10左右的例子。

            “高溫工作”是指容許在更高溫度下的工作,可以簡化散熱器等冷卻機(jī)構(gòu)。

            如上所述,可使用SiC來改進(jìn)效率或應(yīng)對更大功率。而以現(xiàn)狀的電力情況來說,通過使用SiC可實(shí)現(xiàn)顯著小型化也是SiC的一大優(yōu)點(diǎn)。不僅直接節(jié)能,與放置場所和運(yùn)輸?shù)乳g接節(jié)能相關(guān)的小型化也是重要課題之一。

            SiC_1-2_meri



            關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅

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