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      PC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器

      —— 可實現(xiàn)2MHz的開關(guān)頻率
      作者: 時間:2022-03-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

      EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計,采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合,可實現(xiàn)高達2 MHz的開關(guān)頻率,從而實現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202203/432039.htm

      宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9160,這是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計,開關(guān)頻率為2 MHz,可將9 V~24 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為3.3 V或5 V的輸出電壓,兩個輸出的連續(xù)電流可高達15 A。由于開關(guān)頻率高,轉(zhuǎn)換器的尺寸非常小,兩個輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。

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      這個解決方案具有高功率密度、纖薄和開關(guān)頻率為2 MHz,是車用控制臺應用和需要小型、纖薄方案的計算、工業(yè)、消費和電信電源系統(tǒng)的理想選擇。eGaN?FET具備快速開關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢,可以滿足這些前沿應用對高功率密度的嚴格要求。

      EPC9160參考設(shè)計采用了增強型GaN FET(EPC2055)和帶有GaN集成驅(qū)動器的兩相模擬降壓控制器(LTC7890)。

      ●   100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器(LTC7890)經(jīng)過全面優(yōu)化,可驅(qū)動 EPC eGaN FET,并集成了一個半橋驅(qū)動器和智能自舉二極管。經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時間或可編程死區(qū)時間接近零,開關(guān)頻率最高可達3 MHz。5 uA的靜態(tài)電流(VIN=48 V、VOUT=5 V、僅CH1)可實現(xiàn)非常低的待機功耗和卓越的輕負載效率。

      ●   40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)內(nèi)實現(xiàn)3 mOhm的最大導通電阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢復(QRR),可提供高達29 A的連續(xù)電流和161 A的峰值電流。優(yōu)越的動態(tài)參數(shù)可以在2 MHz開關(guān)頻率下,實現(xiàn)非常小的開關(guān)損耗。

      EPC9160的效率在5 V輸出和24 V輸入時超過93%。除了輕載工作模式和可調(diào)死區(qū)時間外,該板還提供欠壓鎖定、過流保護和power good輸出。

      宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow表示:"氮化鎵場效應晶體管具備超低開關(guān)損耗的優(yōu)勢,使它能夠在2 MHz以上的頻率工作,并配以新型模擬控制器,讓客戶可實現(xiàn)2 MHz工作頻率以上的整個生態(tài)系統(tǒng)。我們很高興與ADI公司合作,將其先進控制器的優(yōu)勢與EPC氮化鎵器件的卓越性能結(jié)合起來,為客戶提供具有最高功率密度和采用少量元件的解決方案,從而提高效率、增加功率密度和降低系統(tǒng)成本"。

      ADI公司高級產(chǎn)品市場經(jīng)理Tae Han說:"ADI公司的LTC7890設(shè)計可發(fā)揮EPC eGaN FET的優(yōu)勢,用于高功率密度解決方案。LTC7890實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時間,與市場上現(xiàn)有的解決方案相比,性能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器,客戶可以發(fā)揮氮化鎵器件的極速開關(guān)優(yōu)勢,實現(xiàn)最高的功率密度。"



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