DDR內(nèi)存、LPDDR4X、LPDDR5這些內(nèi)存究竟有什么區(qū)別呢？今天，我們來聊一聊什么是LPDDR5，LPDDR5和目前電腦上面用的DDR4有什么區(qū)別？到底能為我們帶來什么價值和體驗？

什么是LPDDR5？

LPDDR全程Lwo Power Double Data Rate，簡稱“低功耗內(nèi)存”，是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存所指定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。而LPDDR5就是最新的標(biāo)準(zhǔn)。

美國固態(tài)技術(shù)協(xié)會吧LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)命名為JESD209-5。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LPDDR5將以6400MT/S的速度運行，式LPDDR4速度的兩倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。

簡單點來說，就是LPDDR5有三大優(yōu)勢，分別是多車道Bank Group架構(gòu)，速率跨越式升級最多可達50%性能優(yōu)勢提升和超低功耗。

相比之下，LPDDR4X只支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，這里可以理解為數(shù)據(jù)可以多通道傳輸，從而進一步提升了傳輸數(shù)據(jù)帶寬。也正是因為Bank Group模式，從LPDDR4X的4226MT/S的傳輸速率提升至了5500MT/S，傳輸帶寬從34GB/S提升至了44GB/S。

同時LPDDR5內(nèi)部有三組電壓，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L，相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能，可在低速工作時切換至更低的0.9V和0.3V電壓，因此，LPDDR5的功耗會更低。正是因為這樣，所以功耗相比前一代產(chǎn)品，功耗下降了2成以上。

LPDDR和DDR有什么區(qū)別？

DDR全稱Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，嚴(yán)格的來講，DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM。雖然美國固態(tài)技術(shù)協(xié)會2018年宣布正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn)，但實際上最終的規(guī)范要到2020年才能完成，其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍，速率3200MT/s起，最高可達6400MT/s，電壓則從1.2V降至1.1V，功耗減少30%。

同時因為功耗和體積的優(yōu)勢，LPDDR內(nèi)存一般會用在手機上和部分輕薄筆記本上，例如蘋果的MacBook Air，采用的就是LPDDR3的內(nèi)存，而一般的DDR內(nèi)存一般會用在臺式機和一般的筆記本上面。

LPDDR和DDR之間的關(guān)系非常密切，簡單來說，LPDDR就是在DDR的基礎(chǔ)上面演化而來的，LPDDR2實在DDR2的基礎(chǔ)上演化而來的，LPDDR3則實在DDR3的基礎(chǔ)上面演化而來的，以此類推。但是從第四代開始，兩者之間有了差別或者說走上了不同的發(fā)展，主要因為DDR內(nèi)存主要是通過提高核心頻率從而提升性能，而LPDDR則是通過提高Prefetch預(yù)讀取位數(shù)而提高使用體驗。同時在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陸消費者市場。

以目前使用量最高的DDR4和LPDDR4來舉例，LPDDR4是通過兩個16位通道組成的32位總線，而DDR4卻具備原生64位通道，LPDDR4的Prefetch預(yù)讀取位位16位，而DDR4為8位，所以在實際運算的過程中，DDR4的性能利用率會更高，丹LPDDR卻可以用耕地的功耗來獲得更高的理論性能。

所以，也不存在LPDDR5的技術(shù)比DDR5更先進，性能跟高這一說法，并且如果論性能的話，DDR的性能始終是高于同代的LPDDR內(nèi)存的性能的。

LPDDR5究竟能帶來什么？

按照說法，LPDDR5相比較于LPDDR4X，綜合場景續(xù)航提升大約10%，玩游戲省電大約20%，微信視頻和語音大約提升10%。相比較于LPDDR4X，搭載了LPDDR5內(nèi)存的手機，在啟動游戲或者加載應(yīng)用的時候，速度會比之前快很多，更重要的是，手機的電量消耗會比使用LPDDR4X內(nèi)存手機消耗更慢些。此外，內(nèi)存越大，手機在重載和多應(yīng)用環(huán)境下的優(yōu)勢就更加明顯。

驍龍865+LPDDR5+UFS3.0這樣的配置一定會成為今年旗艦機型的標(biāo)配，不過也有部分機型可能會繼續(xù)蔡邕LPDDR4X，具體搭載這兩種不同內(nèi)存的手機，在實際使用過程中會帶來什么樣的差距，還需要經(jīng)過后續(xù)的實際測試來驗證。

總結(jié)

總而言之，桌面級的DDR內(nèi)存在技術(shù)升級方面要慢于移動端，LPDDR內(nèi)存由于在便攜設(shè)備的功耗占比比較高，況且同時還擔(dān)負(fù)著顯存這一身份的重任，技術(shù)的迭代對于手機性能和功耗有著巨大的影響，所以相比較于DDR內(nèi)存，LPDDR內(nèi)存更容易被用戶感知。

因為和手機相比，電腦對功耗的要求沒有那么高，也沒有那么敏感，所以很多輕薄筆記本還在使用LPDDR3的內(nèi)存，即使最新的英特爾處理器也只支持LPDDR4X內(nèi)存，DDR5的正是規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)今年才會完成制定，即使標(biāo)準(zhǔn)制定完成，今年也不會看到很多搭載DDR5內(nèi)存的電腦。而LPDDR5則是今年絕大部分旗艦機型的標(biāo)配，相比DDR5，LPDDR5會在很多手機上面看到。

而在性能方面，LPDDR和DDR各有千秋，比如LPDDR5目前在數(shù)據(jù)傳輸速率上，理論性能的確領(lǐng)先DDR4一個身位，但這并不代表LPDDR5一定比DDR4更強。

電子產(chǎn)品的進步總結(jié)下來一定是體積更小，性能更強，功耗更低。當(dāng)然內(nèi)存也不例外，無論是LPDDR內(nèi)存還是DDR內(nèi)存，或許有一天能通過極低的功耗，實現(xiàn)更高的性能。