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            東芝推出新款MOSFET柵極驅(qū)動IC,助力縮小設(shè)備尺寸

            —— TCK42xG系列支持外部N溝道MOSFET的背對背連接
            作者: 時間:2022-02-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出其面向20V電源線路的新款“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動IC中的首款產(chǎn)品---“TCK421G”。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓(基于輸入電壓),同時具備過壓鎖定功能。新產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202202/431230.htm

            通過與背對背連接的外部N溝道MOSFET相配合,TCK421G適用于配置具有反向電流阻斷功能的電源多路復(fù)用器電路或負載開關(guān)電路。它內(nèi)置電荷泵電路,支持2.7V至28V的寬輸入電壓范圍,經(jīng)過間歇操作,為外部MOSFET的柵極-源極電壓提供穩(wěn)定電壓。這種方式允許大電流的切換。

            image.png

            TCK421G采用WCSP6G[1]封裝,是行業(yè)最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設(shè)備和智能手機等小型設(shè)備上實現(xiàn)高密度貼裝,從而縮小上述設(shè)備的尺寸。

            東芝將繼續(xù)開發(fā)TCK42xG系列,并計劃推出總共六款產(chǎn)品。TCK42xG系列的過壓鎖定將支持5V至24V的輸入電壓??商峁?.6V和10V兩種類型的柵極輸出電壓,用于外部MOSFET中不同的柵源電壓。過壓鎖定和柵極輸出電壓可以根據(jù)用戶具體設(shè)備進行選擇。

            ■   應(yīng)用:

            -   可穿戴設(shè)備

            -   智能手機

            -   筆記本電腦、平板電腦

            -   存儲設(shè)備等

            ■   新產(chǎn)品系列特性:

            -   內(nèi)置電荷泵電路,柵極-源極電壓(5.6V、10V)取決于輸入電壓

            -   過壓鎖定支持5V至24V

            -   低輸入關(guān)斷電流:當(dāng)VIN=5V,Ta=-40℃至85℃時,IQ(OFF)=0.5μA(最大值)

            ■   主要規(guī)格:

            (除非另有說明,Ta=25℃)

            器件型號

            TCK421G

            封裝

            名稱

            WCSP6G

            尺寸(mm)

            1.2×0.8(典型值)

            厚度=0.35(最大值)

            工作范圍

            輸入電壓VIN(V)

            當(dāng)Ta=-40℃至85℃時

            2.7至28

            電氣特性

            VIN UVLO閾值,Vout下降

            VIN_UVLO典型值/最大值(V)

            當(dāng)Ta=-40℃至85℃時,VIN_UVLO最大值

            2.0/2.5

            VIN UVLO滯后

            VIN_UVhyst典型值(V)

            0.2

            VIN OVLO閾值,

            Vout下降

            VIN_OVLO最小值/最大值(V)

            當(dāng)Ta=-40℃至85℃時

            22.34/24.05

            VIN OVLO滯后

            VIN_OVhyst典型值(V)

            0.12

            輸入靜態(tài)電流

            (通態(tài))[3]

            IQ(ON)典型值(μA)

            當(dāng)VIN=5V時

            140

            當(dāng)VIN=12V時

            185

            待機電流(關(guān)斷)

            IQ(OFF)最大值(μA)

            當(dāng)VIN=5V,Ta=-40℃至85℃時

            0.5

            當(dāng)VIN=12V,Ta=-40℃至85℃時

            0.9

            柵極驅(qū)動電壓

            (VGATE1-VIN

            (VGATE2-VIN

            VGS最小值/典型值/最大值(V)

            當(dāng)VIN=2.7V時

            8/9.2/10

            當(dāng)VIN=5V時

            9/10/11

            當(dāng)VIN=9V時

            9/10/11

            當(dāng)VIN=12V時

            9/10/11

            當(dāng)VIN=20V時

            9/10/11

            VGS導(dǎo)通時間

            tON典型值(ms)

            當(dāng)VIN=5V時,

            CGATE1,2=4000pF

            2.9

            VGS關(guān)斷時間

            tOFF典型值(μs)

            VIN=5V,

            當(dāng)CGATE1,2=4000pF時

            52

            OVLO VGS關(guān)斷時間

            tOVP典型值(μs)

            當(dāng)CGATE1,2=4000pF時

            34

            庫存查詢與購買

            在線購買

            注:

            [1] 1.2mm×0.8mm

            [2] 在MOSFET柵極驅(qū)動IC中。截至2022年2月的東芝調(diào)查。

            [3] 不含控制端電流(ICT)。



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