Vishay推出PowerPAK 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON) 導(dǎo)通電阻低至0.65 m
加入技術(shù)交流群
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。為實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導(dǎo)通電阻，工作溫度可達(dá)+175 °C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK? 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結(jié)構(gòu)消除機(jī)械應(yīng)力，有助于提高板級可靠性。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202202/431214.htmSiJH600E和SiJH800E超低導(dǎo)通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導(dǎo)功耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能的效果。
為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節(jié)省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。
器件規(guī)格表：
產(chǎn)品型號 | VDS (V) | ID (A) | RDS(ON) @ 10 V (mW) | Rthjc (°C/W) |
SiJH600E | 60 | 373 | 0.65 | 0.36 |
SiJH800E | 80 | 299 | 1.22 | 0.36 |
該Vishay Siliconix器件工作溫度可達(dá)+175 °C，性能穩(wěn)定可靠，適用于電源、電機(jī)驅(qū)動控制、電池管理和電動工具等應(yīng)用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
封裝對比表:
封裝 | 長 (mm) | 寬 (mm) | 高 (mm) | 尺寸 (長x寬mm2) |
PowerPAK 8x8L | 8.0 | 7.9 | 1.8 | 63.2 |
D2PAK (TO-263) | 15.2 | 10 | 4.4 | 152 |
SiJH600E和SiJH800E現(xiàn)可提供樣品。產(chǎn)品供貨周期和數(shù)量的相關(guān)信息，請與Vishay或我們的經(jīng)銷商聯(lián)系。
評論