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      EEPW首頁 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 東芝新型IC芯片再創(chuàng)佳績,可大幅提升可穿戴設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力

      東芝新型IC芯片再創(chuàng)佳績,可大幅提升可穿戴設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力

      —— 小型、超低靜態(tài)電流[1]負(fù)載開關(guān)IC使顯著性能提升
      作者: 時(shí)間:2022-01-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

      東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出TCK12xBG系列負(fù)載開關(guān)IC,可支持極低的靜態(tài)電流[1]以及1A的額定輸出電流。該系列IC采用緊湊型WCSP4G封裝,可支持產(chǎn)品開發(fā)人員設(shè)計(jì)創(chuàng)新功耗更低、電池續(xù)航能力更強(qiáng)的新一代可穿戴設(shè)備與IOT設(shè)備。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202201/430907.htm

      TCK12xBG系列采用新型驅(qū)動(dòng)電路,具有0.08nA的典型導(dǎo)通靜態(tài)電流。與東芝當(dāng)前產(chǎn)品TCK107AG相比,新系列產(chǎn)品的靜態(tài)電流降低大約99.9%,實(shí)現(xiàn)了極大的能效提升,因此由小型電池供電的可穿戴設(shè)備和IOT設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間將得到顯著提升。

      image.png

      WCSP4G是專為該產(chǎn)品開發(fā)的一種新型封裝,比TCK107AG小34%左右,僅為0.645mm×0.645mm,便于小型電路板安裝。器件特有的背面涂層設(shè)計(jì)用于支持便捷安裝,即便是如此微小的芯片也無需擔(dān)心在安裝過程中造成芯片損傷。

      東芝計(jì)劃推出三款該系列IC:高電平有效時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK127BG;高電平有效時(shí)不啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK126BG;以及低電平有效時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK128BG。該系列器件為產(chǎn)品開發(fā)人員和設(shè)計(jì)人員提供了根據(jù)設(shè)計(jì)要求自由選擇最佳負(fù)載開關(guān)IC的可能。

      東芝將持續(xù)不斷地改進(jìn)低靜態(tài)電流技術(shù)產(chǎn)品,推進(jìn)設(shè)備小型化和降低功耗,并為可持續(xù)發(fā)展的未來做出貢獻(xiàn)。

      ■   應(yīng)用:

      -   可穿戴設(shè)備、IOT設(shè)備、智能手機(jī)(傳感器電源開關(guān)等)

      -   替代由MOSFET、晶體管等分立半導(dǎo)體器件構(gòu)成的負(fù)載開關(guān)電路

      ■   特性:

      -   超低靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài)):IQ=0.08nA(典型值)

      -   低待機(jī)電流(關(guān)斷狀態(tài)):IQ(OFF)+I(xiàn)SD(OFF)=13nA(典型值)

      -   緊湊型WCSP4G封裝:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度:0.465mm(最大值)

      -   背面涂層可減少電路板安裝過程中的損傷

      ■   主要規(guī)格:

      (除非另有說明,@Ta=25℃)

      器件型號(hào)

      TCK126BG

      TCK127BG

      TCK128BG

      封裝

      名稱

      WCSP4G

      尺寸典型值(mm)

      0.645×0.645

      厚度:0.465(最大值)

      絕對(duì)最大額定值

      輸入電壓VIN(V)

      -0.3~6.0

      控制電壓VCT(V)

      -0.3~6.0

      輸出電流IOUT(A)

      直流

      1.0

      脈沖

      2.0

      功耗PD(W)

      1.0

      工作范圍

      (@Ta_opr=

      -40℃至85℃)

      輸入電壓VIN(V)

      1.0~5.5

      輸出電流IOUT最大值(A)

      1.0

      電氣特性

      靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài))

      IQ典型值(nA)

      @VIN=5.5V

      0.08

      待機(jī)電流(關(guān)斷狀態(tài))

      IQ(OFF)+I(xiàn)SD(OFF)

      典型值(nA)

      @VIN=5.5V

      13

      導(dǎo)通電阻RON典型值(mΩ)

      @VIN=5.0V,

      IOUT=-0.5A

      46

      @VIN=3.3V,

      IOUT=-0.5A

      58

      @VIN=1.8V,

      IOUT=-0.5A

      106

      @VIN=1.2V,

      IOUT=-0.2A

      210

      @VIN=1.0V,

      IOUT=-0.05A

      343

      交流特性

      VOUT上升時(shí)間tr

      典型值(μs)

      @VIN=3.3V

      363

      363

      363

      VOUT下降時(shí)間tf

      典型值(μs)

      125

      32

      32

      導(dǎo)通時(shí)延tON

      典型值(μs)

      324

      324

      324

      關(guān)斷時(shí)延tOFF

      典型值(μs)

      10

      10

      10

      自動(dòng)放電功能

      -

      內(nèi)置

      內(nèi)置

      開關(guān)控制邏輯

      高電平有效

      高電平有效

      低電平有效

      庫存查詢與購買

      在線購買

      在線購買

      在線購買

      注:

      [1] 1mm2或更緊湊的封裝,額定輸出電流為1A的負(fù)載開關(guān)IC。截至2022年1月的東芝調(diào)查。



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