近段時間以來，致態(tài)TiPro7000的問世，再次引發(fā)了全行業(yè)關(guān)注，作為一家2016年堪堪成立，不到6年，卻實現(xiàn)了從SATA到PCIe3.0，再到如今消費級固態(tài)硬盤巔峰PCIe4.0 SSD，全領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，長江存儲·致態(tài)背后的Xtacking?為何如此神奇？Xtacking?技術(shù)究竟又有多少魔力？

根據(jù)官方解釋，Xtacking? 是長江存儲核心專利和技術(shù)品牌，代表著長江存儲在3D NAND存儲技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進取和卓越貢獻(xiàn)，同時它也是長江存儲面向企業(yè)客戶、消費者推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在，也是體現(xiàn)長江存儲原創(chuàng)設(shè)計的代表品牌。          
致態(tài)TiPro7000

這個解釋實質(zhì)上有兩重意思，一方面著重強調(diào)了Xtacking?是一項核心的閃存制造技術(shù)，是長江存儲近年來發(fā)展壯大的關(guān)鍵專利，另一方面則是揭示了Xtacking?已然成為長江存儲重要的品牌資產(chǎn)和代名詞，有著非同凡響的象征意義。

今天，我們拋開品牌意義不聊，重點聊聊Xtacking?作為閃存制造技術(shù)，是如何推動致態(tài)TiPro7000的性能炸裂。

01 主流NAND閃存制造邏輯

在理解Xtacking?技術(shù)之前，我們需要先聊聊全球其他閃存廠是如何制造閃存的。

圖源于互聯(lián)網(wǎng)

我們都知道現(xiàn)階段全球NAND閃存玩家，主要有三星、鎧俠/西數(shù)、Intel/Micron以及SK海力士等幾家，其中鎧俠和西數(shù)，intel和Micron，基于資本和市場共享機制，在這里可視為一家。

通過上圖全球主流NAND閃存橫截面可以看到，制造技術(shù)上，三星和鎧俠/西數(shù)大體上保持一致，都是常規(guī)的并列式架構(gòu)，這樣的好處在于加工難度較低，但對于晶圓蝕刻設(shè)備與技術(shù)要求太高，尤其是三星采用的一次性加工、內(nèi)存孔（Memory Hole）的HARC蝕刻技術(shù)，更是對于設(shè)備和操作經(jīng)驗要求極高；鎧俠/西數(shù)采用的則是相對輕松的兩個48層堆疊而成，在技術(shù)難度上更具操作性，但也存在著內(nèi)存孔的貼合匹配等問題。

Intel/Micron以及SK海力士，則采用了另一條制造路徑，即CUA，CMOS under Array，顧名思義就是將能夠控制數(shù)據(jù)讀取、寫入的CMOS線路放置在Array以下的一種加工方式，這樣的架構(gòu)同樣存在制造工藝難度較高，優(yōu)勢則在于能夠擴大單個芯片的存儲密度。

Xtacking?架構(gòu)下的長存顆粒

至于YMTC即長江存儲則是采用了Xtacking?架構(gòu)，該架構(gòu)原理是將CMOS線路用一種不同于存儲單元（Memory Cell）的晶圓制造而成，分別通過Bonding工藝進行貼合，更加樸素的解釋便是等同于，在指甲蓋大小的面積上通過數(shù)十億根金屬通道，將CMOS和Array進行連接，合二為一。

02 Xtacking?的先進性

看到這里，大家應(yīng)該能夠腦補Xtacking?架構(gòu)和傳統(tǒng)上下并列，CUA等閃存結(jié)構(gòu)的不同之處，那么耦合而成的Xtacking?又有哪些特點呢？

從理論設(shè)計和實際經(jīng)驗來看，主要有更快的傳輸速度、更高的存儲密度以及更靈活的開發(fā)周期。

Xtacking?架構(gòu)生產(chǎn)工藝

先說速度，Xtacking?的制造原理是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，這樣的話，可以在邏輯工藝上有著更多的自主選擇性，從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能，這也是致態(tài)TiPro7000能夠取得超過7400MB/s的核心要義，從閃存制造的源頭上，進行了性能優(yōu)化，更多更高的I/O接口通道，為后續(xù)主控的性能調(diào)配奠定基礎(chǔ)。

密度優(yōu)化

再說密度，3D NAND顆粒最重要的發(fā)展方向便是密度的優(yōu)化，在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積20~30%， Xtacking?技術(shù)創(chuàng)新的將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度，芯片面積可減少約25%，同等面積基礎(chǔ)上，Xtacking?架構(gòu)能夠提供更多的存儲單元。

Xtacking?工藝獨立加工

最后再來看靈活的生產(chǎn)周期，實際上NAND顆粒的良品率和出貨量，是目前市場競爭的重要一環(huán)，良品率方面，隨著Xtacking?2.0技術(shù)的誕生，長江存儲閃存顆粒的良品率已然實現(xiàn)大幅度躍升，能夠滿足現(xiàn)階段長江存儲客戶的良品需求；而出貨量上，基于Xtacking?工藝存儲單元和外圍電路的能夠獨立加工的特性，長江存儲可以實現(xiàn)并行、模組化的靈活生產(chǎn)制造，根據(jù)推算Xtacking?工藝相較于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品開發(fā)周期可縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%。

03 不止于Xtacking? 致態(tài)TiPro7000強悍性能的秘密

更快更高更靈活的Xtacking?架構(gòu)，為致態(tài)TiPro7000奠定了旗艦級性能的基礎(chǔ)，可我們都知道一款旗艦級固態(tài)硬盤，除開閃存顆粒，在主控的選配和硬件優(yōu)化方面同樣關(guān)鍵。

致態(tài)TiPro7000 SSD

致態(tài)TiPro7000內(nèi)置了英韌科技IG5236主控，這是一款采用12nm FinFET CMOS制造工藝的PCIe4.0主控芯片，長江存儲在該主控基礎(chǔ)上，進行了固件的優(yōu)化升級，歷經(jīng)長久的端到端的產(chǎn)品匹配，在充分挖掘該主控在GEN4協(xié)議上的潛能，并和Xtacking?2.0架構(gòu)的長江存儲高品質(zhì)3D TLC顆粒進行校正和適配后，最終實現(xiàn)了性能的全部挖掘。

CrystalDiskMark測試

經(jīng)過筆者實測，致態(tài)TiPro7000在最大順序性能方面達(dá)到了GEN4行業(yè)的巔峰水準(zhǔn)，最大連續(xù)讀取7400MB/s，而最大連續(xù)寫入也達(dá)到了5400MB/s，這一性能無論是對于游戲發(fā)燒友，還是存儲負(fù)載較重的專業(yè)內(nèi)容創(chuàng)作者，都能完全滿足他們在硬盤帶寬方面的性能需求。

04 綜述

從Xtacking?技術(shù)的原理，我們可以發(fā)現(xiàn)，唯有打破常規(guī)，持續(xù)創(chuàng)新，才是推動產(chǎn)品革新，攀上巔峰的唯一要義。

作為一家年輕的存儲公司，長江存儲·致態(tài)是幸福，也是幸運的，不斷迭代的Xtacking?技術(shù)，層出不窮的諸如致態(tài)TiPro7000優(yōu)秀產(chǎn)品，都一一昭示著它們正在一條正確的道路上，前行著。

雖然正確的道路，往往是曲折的，泥濘的，甚至是充滿危機的，但方向?qū)α?，其他不都是浮云了嗎?/p>