編者按

雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應用和驅(qū)動保護電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。

雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。

為什么要進行雙脈沖測試？

在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設(shè)計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關(guān)損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及寄生導通情況。這會導致對有些風險的認識出現(xiàn)盲點，進而影響最后產(chǎn)品未來的長期可靠性。又或者設(shè)計裕量過大帶來成本增加，使得產(chǎn)品的市場競爭力下降。如果能在設(shè)計研發(fā)階段，精準地了解器件的開關(guān)性能，將對整個產(chǎn)品的優(yōu)化帶來極大的好處。比如能在不同的電壓、電流和溫度下獲得開關(guān)損耗，給系統(tǒng)仿真提供可靠的數(shù)據(jù)；又比如可以通過觀察波形振蕩情況來選擇合適的門極電阻。

雙脈沖測試原理

顧名思義，雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅(qū)動控制信號，如圖1所示。第一個脈沖相對較寬，以獲得一定的電流。同時第一個脈沖的下降沿作為關(guān)斷過程的觀測時刻，而第二個脈沖的上升沿則作為開通過程的觀測時刻。

圖1

考慮到可能的電場干擾，最佳的雙脈沖平臺是全橋結(jié)構(gòu)的，如圖2所示。3管的門極給15V常開信號，4管則是處于常關(guān)，2管作為被測器件給予雙脈沖信號。1管主要作用于續(xù)流，所以門極可以是常關(guān)信號，或者在使用MOS管時門極用同步整流信號。第1個脈沖來臨時，電流經(jīng)過3管和負載電感進入2管。為了得到一個期望的電流值，此脈沖需持續(xù)一定時長，時長可通過T=I*L/V來獲得，其中L是負載電感值，I是期望電流，V是母線電壓。當然實際中可以直接用示波器觀察電流值來調(diào)整脈寬。

第一個脈沖結(jié)束時，2管關(guān)斷，表現(xiàn)出器件的關(guān)斷波形。此后，電流在3管、負載和1管中續(xù)流。當?shù)?個脈沖到來時，2管開通，1管上的電流重新流入2管，這時可測量1管的反向恢復特性及2管的開通特性。其中電流的獲取在小功率時可以采用電流檢測電阻，而大電流時一般使用磁性電流檢測器，比如羅氏線圈或者Pearson磁環(huán)。關(guān)于電壓電流探頭的使用之前有專門的文章詳細介紹過。

圖2

平時實驗室測量時結(jié)構(gòu)上也可以簡化成半橋形式，如圖3，工作原理和全橋類似，這里就不贅述了。

圖3

哪些參數(shù)可以通過雙脈沖實驗獲得？

通過雙脈沖測試，可以得到包括開關(guān)損耗，各電壓電流尖峰值，斜率變化值在內(nèi)的動態(tài)參數(shù)。比如IGBT參數(shù)：

各參數(shù)可以在示波器上直接測量得到，定義如圖4：

圖4

以及反并聯(lián)二極管參數(shù)：

各參數(shù)測量定義如圖5：

圖5

其中開關(guān)損耗需要借助示波器的函數(shù)運算功能獲得，也可以把所有波形都存成表格點再后期進行處理運算。圖6和圖7分別是開通和關(guān)斷波形。其中1通道黑色的是被測器件VCE的信號，2通道紅色的是橋臂電流，3通道綠色的是門極信號。數(shù)學運算1是電壓和電流信號的乘積，數(shù)學運算2是該乘積的積分線，也就是損耗值。根據(jù)國標定義，開通損耗的積分時間區(qū)間為門極電壓上升的10%到VCE電壓下降至2%這個區(qū)間；而關(guān)斷損耗的積分時間區(qū)間為門極電壓下降至90%到電流降到2%。如果有些許振蕩的話，以第一次觸及邊界值為準。但有嚴重振蕩的話建議調(diào)整驅(qū)動參數(shù)（比如增加門極電阻）重新測量。

圖6

圖7

總結(jié)

雙脈沖測試非常適合研發(fā)階段對器件在系統(tǒng)上的損耗評估，為系統(tǒng)仿真帶來數(shù)據(jù)支持。畢竟有太多的因素會使實際值和數(shù)據(jù)規(guī)格產(chǎn)生很大差別，用規(guī)格書上的值做為仿真依據(jù)粗糙了些，當然器件選型的時候還是很值得借鑒的。設(shè)計越精準，對成本控制就越友好。