ASML出貨超過(guò)100臺(tái)EUV光刻機(jī) 新制程時(shí)代來(lái)臨
芯研所消息,全球半導(dǎo)體的缺貨,進(jìn)一步激發(fā)了上游半導(dǎo)體設(shè)備廠商的產(chǎn)能,據(jù)外媒報(bào)道截至第二季度,ASML EUV設(shè)備出貨總量達(dá)到102臺(tái),隨著需求量的提高和客戶群的擴(kuò)大,預(yù)計(jì)2年內(nèi)累計(jì)供應(yīng)量將增加2倍以上,標(biāo)志著EUV時(shí)代正式拉開(kāi)帷幕。
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202109/428342.htm據(jù)統(tǒng)計(jì),過(guò)去四個(gè)季度(2020年第三季度-2021年第二季度),ASML EUV設(shè)備出貨總計(jì)40臺(tái),較之前四個(gè)季度(2019年第三季度-2020年第二季度)增長(zhǎng)了66%。ASML今年的出貨目標(biāo)是40臺(tái)左右,下半年將供應(yīng)25臺(tái)左右。
根據(jù)ASML的說(shuō)法,5-7nm邏輯半導(dǎo)體(以每月45,000顆晶圓為基準(zhǔn))每個(gè)EUV層需要一臺(tái)EUV設(shè)備,16nm及以下節(jié)點(diǎn)DRAM(以每月100,000顆晶圓為基準(zhǔn))每個(gè)EUV層則需要1.5-2臺(tái)設(shè)備。三星電子計(jì)劃,到今年下半年為止,將14nm DDR5 DRAM的EUV應(yīng)用層數(shù)從1層增加到5層,SK海力士也計(jì)劃增加EUV應(yīng)用層數(shù),因此,預(yù)計(jì)EUV設(shè)備的需求將進(jìn)一步增加。
除了EUV層的增加,EUV設(shè)備的客戶群也在逐漸擴(kuò)大。繼2018年三星電子首次引進(jìn)7nm制程的EUV設(shè)備后,臺(tái)積電和SK海力士也加入了EUV競(jìng)爭(zhēng)。美國(guó)的美光和英特爾也在推進(jìn)EUV設(shè)備的引進(jìn),預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。
評(píng)論