金升陽緊跟功率半導(dǎo)體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動器提供高可靠、高效率的驅(qū)動電源方案。

一、產(chǎn)品介紹

1）高可靠性保障

QA-R3系列驅(qū)動電源在變壓器設(shè)計(jì)上采用了獨(dú)特設(shè)計(jì)，通過增加原副邊爬電距離，使得電氣間隙滿足14.5mm的安規(guī)要求，隔離電容3.5pF，隔離電壓達(dá)到5000VAC（基于EN61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求）；產(chǎn)品采用加強(qiáng)絕緣設(shè)計(jì)，極大提高了可靠性。

 該系列還滿足EN50178/EN61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求，通過EN62368認(rèn)證（認(rèn)證中），符合UL62368設(shè)計(jì)要求；高可靠的設(shè)計(jì)保證其可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動器提供高可靠的驅(qū)動電源方案。

2）效率高達(dá)88%

采用獨(dú)特電路設(shè)計(jì)方案，在電路設(shè)計(jì)上，減小了原副邊漏感的影響，極大地提升產(chǎn)品效率，使得產(chǎn)品效率高達(dá)88%，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

3）單路2.4W輸出功率，雙通道輸出，設(shè)計(jì)更靈活

采用雙通道輸出設(shè)計(jì)，單路輸出功率可達(dá)到2.4W，兩通道之間滿足加強(qiáng)絕緣要求（5000VAC隔離），有效降低了客戶的使用成本和占板面積使得客戶設(shè)計(jì)更加靈活。

 二、產(chǎn)品應(yīng)用

QA-R3系列驅(qū)動電源依靠高可靠性能，可滿足1700V及以下的常規(guī)IGBT/SiC MOSFET，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋軌道交通，智能電網(wǎng)，風(fēng)力發(fā)電，新能源，電機(jī)傳動，充電樁等。

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

●   效率高達(dá)88%

●   隔離電壓高達(dá)5000VAC(加強(qiáng)絕緣)

●   最大容性負(fù)載200uF

●   隔離電容3.5pF typ.

●   工作電壓范圍：-40℃ to +105℃

●   整機(jī)材質(zhì)符合CTI 1類

●   專為1700V IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動器設(shè)計(jì)

●   符合UL62368、EN61800、EN50178標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證要求

●   通過EN62368認(rèn)證 

詳細(xì)產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)請參考技術(shù)手冊： QAxx3D-2GR3