東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設備效率和小型化
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202102/422962.htm為達到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應用對高效緊湊設備的需求。
◆ 應用
● 用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
● 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
● 工業(yè)電機控制設備
◆ 特性
● 漏源額定電壓：VDSS＝3300V
● 漏極額定電流：ID＝800A雙通道
● 寬通道溫度范圍：Tch＝175℃
● 低損耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
● 低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）
● 高功率密度的小型iXPLV封裝
◆ 主要規(guī)格
（除非另有說明，@Tc＝25℃）
器件型號 | MG800FXF2YMS3 | |||
封裝 | iXPLV | |||
額定最大絕對值 | 漏源電壓VDSS（V） | 3300 | ||
柵源電壓VGSS（V） | +25／-10 | |||
漏極電流（DC）ID（A） | 800 | |||
漏極電流（脈沖）IDP（A） | 1600 | |||
通道溫度Tch（℃） | 175 | |||
隔離電壓Visol（Vrms） | 6000 | |||
電氣特性 | 漏源電壓導通電壓（感應） VDS(on)sense典型值（V） | VGS＝+20V時， ID＝800A | 1.6 | |
源漏電壓導通電壓（感應） VSD(on)sense典型值（V） | VGS＝+20V時， IS＝800A | 1.5 | ||
源漏電壓關斷電壓（感應） VSD(off)sense典型值（V） | VGS＝-6V時， IS＝800A | 2.3 | ||
雜散電感模塊LSPN典型值（nH） | 12 | |||
導通開關損耗 Eon典型值（mJ） | VDD＝1800V時， ID＝800A、 Tch＝150℃ | 250 | ||
關斷開關損耗 Eoff典型值（mJ） | VDD＝1800V時， ID＝800A、 Tch＝150℃ | 240 | ||
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