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            意法半導體MasterGaN系列新增優(yōu)化的非對稱拓撲產(chǎn)品

            作者: 時間:2021-01-18 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢,意法半導體推出了 MasterGaN2 ,作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品,是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202101/422180.htm

            兩個650V常關(guān)型GaN晶體管的導通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ,每個晶體管都集成一個優(yōu)化的柵極驅(qū)動器,使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進的驅(qū)動功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢,MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優(yōu)勢。

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            MasterGaN電力系統(tǒng)級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅(qū)動器,并內(nèi)置了所有的必備的保護功能。設(shè)計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設(shè)備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號,有助于簡化電路設(shè)計和物料清單,允許使用更小的電路板,并簡化產(chǎn)品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。

            GaN技術(shù)正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發(fā)展。意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80%,減重70%,而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

            內(nèi)置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動器互鎖、專用關(guān)閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優(yōu)化的封裝,高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。

            MasterGaN2 現(xiàn)已量產(chǎn)。



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