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            UAES與羅姆成立“SiC技術(shù)聯(lián)合實驗室”并舉行啟動儀式

            作者: 時間:2020-12-08 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,以下簡稱“UAES”)與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM Co., Ltd.,以下簡稱“羅姆”)在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實驗室”,并于2020年10月舉行了啟動儀式。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202012/420957.htm

             與IGBT*1等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件具有“開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗*2小”、“耐溫度變化能力強”等優(yōu)勢,因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動汽車以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

            UAES和羅姆自2015年開始技術(shù)交流以來,雙方在采用SiC功率元器件的車載應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)方面建立了合作伙伴關(guān)系。經(jīng)過多年的技術(shù)交流,采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車載產(chǎn)品于今年成功投入量產(chǎn)。

            此次成立的聯(lián)合實驗室配備了重要設(shè)備,包括能夠?qū)囕d充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等車載應(yīng)用產(chǎn)品進行整機評估的測試設(shè)備、以及能夠進行元器件評估的測試裝置等。

            未來,雙方將會進一步加強合作關(guān)系,并加快以SiC為核心的創(chuàng)新型電源解決方案的開發(fā)。

            UAES副總經(jīng)理 郭曉潞表示:“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產(chǎn)品以來,雙方包括高層在內(nèi)的交流不斷加深。作為多年技術(shù)交流的成果,UAES開發(fā)出采用了SiC的車載應(yīng)用并在今年成功實現(xiàn)量產(chǎn),對此我們表示非常高興。該聯(lián)合實驗室的成立,表明兩家公司之間的合作關(guān)系進一步加深,我們期待通過完善的設(shè)備,得到更出色的技術(shù)支持?!?/p>

            羅姆董事高級執(zhí)行官CSO兼功率元器件業(yè)務(wù)統(tǒng)括 伊野和英博士表示:“我們很高興能夠與車載應(yīng)用領(lǐng)域的先進企業(yè)——UAES成立聯(lián)合實驗室。作為SiC功率元器件的先進廠商,羅姆正在推進行業(yè)先進的元器件開發(fā),同時,通過與驅(qū)動IC等外圍元器件相結(jié)合的電源解決方案,獲得了傲人的實際應(yīng)用業(yè)績。未來,在市場有望繼續(xù)擴大的車載領(lǐng)域,把握客戶需求和市場動向的研究將是非常重要的要素,因此,雙方將通過聯(lián)合實驗室加強合作關(guān)系,并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術(shù)革新做出貢獻。”

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            UAES副總經(jīng)理 郭曉潞(右)與羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司 董事長 藤村 雷太(左)在啟動儀式上互贈紀(jì)念品

            <術(shù)語解說>

            *1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

            同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

            *2) 傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗

            因元器件結(jié)構(gòu)的緣故,MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過元器件時(ON狀態(tài)時),受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(開關(guān)動作時)產(chǎn)生的損耗。



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